S1032947

7. Generatory drgań sinusoidalnych

8. Oto tekst zadania symulacyjnego.

'CIRCUIT; HRTDO (generator Hartleya z NJFET i ze sprzezeniem zrodloww :F 15MHz    ^m

•O B:HRTDO.OUT

TC/NJFET/ BE 8E-4 VP -2.8 IS 2E-13 CS 2.2P CD 1.9P>

FI .72 GA .333 IMG 1 E-4 TQ1 2 1 3 TC

CO 5 0 163.4P;RC 5 0 779K;ROBC 5 0 10K

RG 1 4 1 MEG;CG 5 1 300P;RSL 3 4 260

L01 5 4 1 U;RL01 L01 ,2;L02 4 0 5.2U;RL02 L02 1.02

ROD 2 0 .1 E 10;GDS 2 3 0;GGS 1 3 0

•TIMEO 10U

•TR *GRAPH VROBC VGDS VGGS •RUN: 1 cykl

0*

0

iuę«i

tUH

•RUN: 2 cykl •RUN: 3 cykl •RUN. 4 cykl •RUN: 5 cykl •RUN: 6 cykl •RUN: 7 cykl •RUN: 8 cykl •MODIFY "TIME 0 TU

.JMt-

.M

*TR 'GRAPH *F VROBC VGDS VGGS •RUN FRER 200N MAXSTEP 2N TRUNC 1E-5: 9 cykl (ostatni)

Aby ułatwić obserwację napięć bramka-źródło i dren-źródlo, w scbe- k»n macie symulacyjnym (rys. 7/6.3) zastosowano konduktancje GGS i GDS, obie zerowe. Przebiegi napięć - wyjściowego VROBC i VGGS, VGDS ^

- są przedstawione dla stanu ustalonego na rys. 7/6.4. Amplituda napięcia ł«r na obciążeniu jest równa ok. 7 V, czyli jest zbliżona do różnicy napięć U_DD i bezwzględnej wartości napięcia odcięcia |(7_P| = 2,8 V. Kursor na wykresie wskazuje najmniejsze chwilowe napięcie dren-źródlo jUtyj VGDS = U_DS = 2,35 V, w tym momencie występuje największe chwilowe ijsjŁ napięcie bramka-źródło VGGS = U_GS = —0,747 V. Z tych danych wytu-ka, że w tym momencie - najbardziej krytycznym - występuje napięcie dren-bramka U_DG = 2,35 — (—0,747) = 3,097 V. To napięcie jest większe od -U, = 2,8 V, zatem w tej krytycznej chwili punkt pracy tranzystora nie jest w obszarze triodowym (kanał przy drenie jest zaciśnięty). Jest to korzystne ze względu na zniekształcenia. Obliczona zawartość harmonio- u nych wynosi 0,68%.    _

Ponieważ napięcie bramka-źródło jest w stanie ustalonym ujemne, to NN układ automatycznej polaryzacji R_$C_t być może nie jest potrzebny. Ti u»a- V\