generat nap sin004

generat nap sin004



4 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki

2.3. Generatory drgań sinusoidalnych LC

Najistotniejszą cechą różniącą poszczególne rodzaje generatorów drgań sinusoidalnych ze sprzężeniem zwrotnym realizowanym za pomocą obwodu LC jest sposób połączenia tego obwodu. Wyróżnia się trzy podstawowe rozwiązania:

•    sprzężenie magnetyczne pomiędzy cewką układu rezonansowego a cewką dołączoną do wejścia wzmacniacza (generator Meissnera - rysunek 9.3),

•    sprzężenie za pomocą dzielnika indukcyjnego (generator Hartleya - rysunek 9.4),

•    sprzężenie za pomocą dzielnika pojemnościowego (generator Colpittsa - rysunek 9.5).

W przedstawionych układach tranzystor T pełni rolę elementu wzmacniającego. Rezystory R^\, R&2, Re wyznaczają punkt pracy tranzystora, kondensatory Ce oraz Cb stanowią małą reaktancje dla wysokich częstotliwości. Kondensator Cs eliminuje składowa stałą z przebiegu generowanego. Dławik Zd separuje składowa przemienną od napięcia zasilania +Uzas- Częstotliwość drgań sygnału wyjściowego generatorów LC wynosi:

(9.16)


27t 4lc

przy czym dla generatora Hartleya wartość indukcyjności zastępczej wynosi:

Z = Z,+Z2    (9.17)

zaś dla generatora Clopittsa pojemność zastępcza wynosi:

C C

C _ _ł—_2_    (9.18)

c,+c2

Na rysunku 9.3 przedstawiono jedno z możliwych rozwiązań generatora Meissnera. Sygnał sprzężenia zwrotnego jest podłączony do bazy tranzystora T poprzez uzwojenie pierwotne transformatora o sprzężeniu M. Uzwojenie wtórne wraz kondensatorem C stanowią obwód rezonansowy. Przy częstotliwości rezonansowej napięcie na kolektorze jest przesunięte o n względem napięcia na bazie. Odpowiednie połączenie uzwojeń transformatora (zaznaczone kropkami) zapewniają przesuniecie także o n, tym samym warunek fazy jest spełniony. Warunek amplitudy jest spełniony poprzez odpowiedni dobór przekładni transformatora.

Rys. 9.3. Schemat generatora Meissnera


Na rysunku 9.4 przedstawiono jedno z możliwych rozwiązań generatora Hartleya. Spadki napięć z dzielnika indukcyjnego, jaki tworzą cewki L\ oraz Li doprowadzane są na wejście wzmacniacza. Całkowita indukcyjność obwodu głównego L jest sumą indukcyjności L\ oraz Li (9.17). Częstotliwość drgań generatora zależy od wartości całkowitej indukcyjności L oraz wartości pojemności C.

Materiały powielane.


Wersja robocza skryptu z AEiUE - Gliwice 2009


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
generat nap niesin002 2 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki Generowany przebieg charakteryzuje s
generat nap niesin004 4 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki tranzystora T jest zbliżone do warto
generat nap niesin006 6 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki Rys. 10.5. Tranzystorowy przerzutnik
generat nap niesin008 8 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki b) Rys. 10.7. Uniwibrator zbudowany
generat nap sin002 2 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki Wiedząc, że: ii (9.1) U2p(jcj) = f2
generat nap sin006 6 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki W generatorach przedstawionych na rysun
generat nap sin008 8 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki sprzężenia zwrotnego. Diody te spełniaj
generat nap niesin010 10 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki Układ jest, więc przełączany przy d
GENERATOR DRGAŃ SINUSOIDALNYCH LC i KWARCOWY WSTĘP W czasie zajęć laboratoryjnych będzie badany
DSCF0761 (2) 136 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczny Rozróżnienie układów o stałym
DSCF0762 (2) WĘ 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne nym wprowadzeniu (domieszkowani
DSCF0763 (2) 138 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektrony dla uproszczenia atomy przedstawio
DSCF0764 139 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne lencyjnego) do pasma przewodzenia
DSCF0765 140 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne krzem o przewodnictwie typu N elek
DSCF0768 (2) 14; 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne nego wynika ze zjawiska przewo
DSCF0770 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Efekt Zenera jest wykorzystywany w pra
DSCF0771 146 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Diody mocy Do konstrukcji diod
DSCF0772 147 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne niewielka zmiana napięcia polaryzu
DSCF0773 148 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne niem termicznym diody. Najprostszy

więcej podobnych podstron