DSCF0768 (2)

DSCF0768 (2)



14;

4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne

nego wynika ze zjawiska przewodnictwa samoistnego (rozdz. 4.2.1.1) zachodzącego w złączu PN diody. Zatem natężenie prądu wstecznego jest zależne od temperatury złącza.

Prąd wsteczny diody przy stałym napięciu zaporowym rośnie w funkcji temperatury jej złącza.

Wartość prądu wstecznego jest również funkcją wymiarów geometrycznych złącza PN. Im większa jest powierzchnia złącza, tym większy jest prąd wsteczny dla tego samego napięcia zaporowego i w tej samej temperaturze.

Parametry techniczne

Parametry techniczne przyrządów półprzewodnikowych dzielą się na dwie klasy: parametrów granicznych i parametów znamionowych.

Parametry graniczne określają zbiór dopuszczalnych wartości parametrów eksploatacyjnych zapewniających długotrwałą i bezawaryjną pracę elementu


103

mA

102

o    1 V 2

uF-^


!    10

ip    i

ia1

ia2

Rys. 1. Charakterystyka prądowo-napięciowa diody

w kierunku przewodzenia: A- temperatura złącza1

w określonych warunkach zewnętrznych.

Parametry znamionowe określają statystyczne wartości podstawowych cech przyrządów półprzewodnikowych w tak zwanym punkcie pracy. Punkt pracy jest zdefiniowany przez aktualne parametry elektryczne (prąd, napięcie), a także środowiskowe (temperatura, ciśnienie, strumień pola magnetycznego, elektrycznego Itp):

Parametry znamionowe bardzo często przedstawiane są w postaci graficznej w postaci tzw. charakterystyk. Charakterystyki z jednej strony są syntetycznym źródłem informacji technicznej, a z drugiej są wygodnym narzędziem pracy projektanta układów elektronicznych.

Parametry graniczne

Do najważniejszych parametrów granicznych diod należą maksymalne wartości dopuszczalne: prądu przewodzenia Ipmax, napięcia przewodzenia UFmax, całkowitej mocy traconej Ptot, napięcia wstecznego URmM, temperatury złącza PN it, max. Nieznaczne, chwilowe przekroczenie wartości parametrów granicznych nie jest zalecane, ale jest dopuszczalne.

Parametry znamionowe

Jeśli pomiędzy zaciski diody zostanie przyłożone napięcie, to wywoła ono przepływ prądu o wartości wynikającej z jej charakterystyki prądowo-napięciowej (rys. 1 na następnej stronie). Charakterystyka ta jest jednoznaczna, tzn. przy znajomości prądu płynącego przez diodę można wyznaczyć z niej spadek napięcia na diodzie. Kształt charakterystyki prądowo-napięciowej zależy także od temperatury złącza diody. Z tego powodu punkt pracy diody nie może być zdefiniowany tylko przez podanie jednego parametru. Najczęściej punkt pracy diody definiowany jest przez trzy parametry o charakterze statycznym: wartości znamionowe prądu i napięcia w punkcie pracy oraz wartość znamionową temperatury złącza.

Statyczne parametry znamionowe są istotne w warunkach pracy diody w układach prądu stałego. Zastosowanie diod w układach prądu przemiennego wymaga zdefiniowania dodatkowo dynamicznych parametrów znamionowych, takich jak pojemność warstwy zaporowej, czas przełączania oraz rezystancja dynamiczna

Parametry graniczne i znamionowe diod są określone przez: rodzaj stosowanego półprzewodnika, sposób i materiał domieszkowania, konstrukcję mechaniczną diody i technologię jej wytwarzania (tab. 1 na następnej stronie).

ang. junction — złącze


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
DSCF0761 (2) 136 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczny Rozróżnienie układów o stałym
DSCF0762 (2) WĘ 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne nym wprowadzeniu (domieszkowani
DSCF0763 (2) 138 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektrony dla uproszczenia atomy przedstawio
DSCF0764 139 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne lencyjnego) do pasma przewodzenia
DSCF0765 140 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne krzem o przewodnictwie typu N elek
DSCF0771 146 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Diody mocy Do konstrukcji diod
DSCF0772 147 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne niewielka zmiana napięcia polaryzu
DSCF0773 148 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne niem termicznym diody. Najprostszy
DSCF0774 149 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Janoda Si02 —.warstwa zaporowa Rys
DSCF0775 150 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Tab. 1. Półprzewodnikowe diody
DSCF0777 152 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczny4.2.3 Tranzystory4.2.3.1 Tranzystor
DSCF0779 154 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Charakterystyka wejściowa
DSCF0781 156 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Rys. 1. Obszar pracy tranzystora N
DSCF0783 158 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Rys. 1. Współczynniki korekcyjne p
DSCF0784 159 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Fototranzystory Rys. 1. Charaktery
DSCF0785 160 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 160 4.2 Półprzewodnikowe elementy
DSCF0787 (2) 162 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 162 4.2 Półprzewodnikowe eleme
DSCF0789 (2) 164 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne pach kanałów sterowanych ze ws
DSCF0791 (2) 166 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne4.2.3.3 Obudowy tranzystorów i

więcej podobnych podstron