DSCF0787 (2)

162 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne

sieciowy przewód lutownica zasilający

Rys. 1. Aranżacja stanowiska pracy do montażu tranzystorów polowych

Rys. 3. Charakterystyki N-kanatowego tranzystora polowego FET z kanałem zubażanym

W obu typach tranzystorów warstwa izolacyjna wykonana jest z dwutlenku krzemu (SiO^, natomiast materiałem podłożowym w tranzystorach MOSFET jest krzem, a w tranzystorach MISFET - arsenek galu. Warstwa izolacyjna w tranzystorach polowych z izolowaną bramką całkowicie izoluje elektrycznie obwody prądu sterowania i prądu obciążenia. Dzięki temu rezystancja wejściowa tranzystorów jest bardzo duża (rzędu 10¹⁸Q), a prąd upływu bardzo maty (rzędu 10~¹⁵ A). Ze względu na fakt, że warstwa izolująca jest grubsza od warstwy zaporowej złącza PN, mniejsza jest pojemność bramka-kanał, wyższa jest częstotliwość graniczna i większe jest napięcie przebicia izolacji w stosunku do tranzystorów złączowych unipolarnych typu JFET.

W tranzystorach polowych z izolowaną bramką obwody sterujący i sterowany są wzajemnie odizolowane elektrycznie.

Tranzystory MOSFET i MISFET są wrażliwe na uszkodzenia wynikające z przyłożenia zbyt dużego napięcia sterującego U_GS. Uszkodzenia spowodowane są przebiciem warstwy izolującej bramkę od kanału. Ze względu na bardzo wysoką rezystancję wejściową tranzystora nawet stosunkowo niewielki ładunek elektrostatyczny wprowadzony na bramkę może za-indukować napięcie o wartości przekraczającej dopuszczalną wartość graniczną. Z tego powodu elektrody tranzystorów polowych powinny być zwarte w czasie ich przechowywania i transportu.

W czasie transportu i magazynowania elektrody tranzystorów polowych z izolowaną bramką powinny być zwarte ze sobą.

Podczas wlutowywania tranzystorów z izolowaną bramką lub układów scalonych zawierających takie tranzystory należy przestrzegać szczególnych środków ostrożności, które zapobiegają przebiciu elektrycznemu warstwy izolującej bramkę (rys. 1). Ze względu na upływność lutownica nie powinna być zasilana bezpośrednio z sieci, lecz odseparowana galwanicznie, np. przez transformator separujący. Może być również stosowana lutownica zasilana ze źródła napięcia stałego. Skutecznym zabezpieczeniem jest również wyrównanie potencjałów montażysty, pulpitu oraz uziemionego stanowiska pracy.

Nowoczesne tranzystory połowę z izolowaną bramką są wyposażane w zintegrowane układy zabezpieczeń nadnapięciowego bramki w postaci odpowiednio spolaryzowanych diod Zenera włączanych pomiędzy brar kę i kanał (rys. 2). Niezależnie od kierunku polaryzacji bramki i kanału jedna z diod zabezpieczających spoi ryzowana jest zawsze w kierunku przewodzenia, a druga w kierunku zaporowym. Dzięki takiemu potączer