DSCF0791 (2)

166 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne

4.2.3.3 Obudowy tranzystorów i ich oznaczenia

Obudowy tranzystorów (ich kształt i wymiary) są unormowane, jakkolwiek kolejność wyprowadzeń elektrod tranzystorów (bazy, emitera i kolektora lub bramki, źródła i drenu) może być zupełnie dowolna. Kolejność wyprowadzeń jest jednak identyczna dla danego typu tranzystora i jest niezależna od jego producenta. Szkice najczęściej spotykanych obudów przedstawiono w tab. 1.

W tranzystorach mocy kolektor lub dren typowo połączony jest z jego metalową obudową.

W celu poprawy warunków odprowadzania ciepła w obudowach tranzystorów średniej i dużej mocy stosuje się konstrukcyjne elementy metalowe w postaci wkładki metalicznej (TO-220) lub wykonuje się całe obudowy z metalu o dobrych właściwościach przewodnictwa cieplnego (TO-3). Obudowy te są zaopatrzone w otwory umożliwiające mechaniczny montaż radiatorów zewnętrznych. Należy zwrócić uwagę na to, że w tym przypadku kolektor lub dren tranzystora jest połączony galwanicznie z jego obudową.

W konstrukcjach układów elektronicznych, w których występują różne potencjały kolektorów lub drenów, dla uniknięcia potencjalnych zwarć, nie mogą być zastosowane połączone elektrycznie wspólne radiatory zewnętrzne.

Oznaczenia typów tranzystorów Oznaczenia typów tranzystorów składają się z dwóch lub trzech wielkich liter i symbolu liczbowego (tab. 2). Symbole literowe oznaczają materiał półprzewodnika oraz zakres zastosowań tranzystora. Symbole cyfrowe oznaczają numer typu tranzystora. Czasami spotykane są oznaczenia tranzystorów zgodne z normami amerykańskimi JEDEC, zaczynające się od symboli 2N lub japońskich zaczynających się od symboli SC. Wówczas bardziej szczegółowe dane dotyczące typu zastosowanego półprzewodnika i obszaru zastosowań tranzystora mogą być zidentyfikowane na podstawie danych katalogowych.

Tab. 1. Szkice i oznaczenia typowych obudów tranzystorów

Tab. 2. Oznaczenia tranzystorów

-1. litera: materiał półprzewodnika

-2.    litera:    symbol przeznaczenia

I-3. litera: zastosowanie

Przykład: BCY58

j 1. litera: materiał półprzewodnika I A: german, B: krzem,

I C: materiały lll-V wartościowe, np. arsenek galu,

R: materiały polikrystaliczne, np. do produkcji magnetorezystorów

2.    litera: przeznaczenie

I C: tranzystor m.cz., D: tranzystor mocy m.cz.

F: tranzystor w.cz., S: tranzystor impulsowy i U: tranzystor mocy, impulsowy

3.    litera, np. X, Y lub Z, oznaczenie obszaru zastosowań (przemysłowy, profesjonalny)

Przykład:

BC 107: tranzystor krzemowy m.cz.

ASY 27: tranzystor germanowy impulsowy do zastosowań przemysłowych (profesjonalnych)_

4.2.3.4 Tranzystor jako łącznik elektroniczny

Zależnie od stopnia wysterowania obwodu wejściowego tranzystora możliwa jest jego praca w obszarach: odcięcia, pracy liniowej i nasycenia (rozdz. 4.2.3.2).