158
4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne
Rys. 1. Współczynniki korekcyjne parametrów czwómikowych tranzystora Hel
Ponieważ tranzystor ma trzy elektrody (zaciski), to w modelu czwórnikowym jeden z tych zacisków należy jednocześnie do obwodu wejściowego i wyjściowego. Zależnie od tego, który z zacisków tranzystora jest zaciskiem wspólnym, to mówimy o konfiguracji ze wspólnym emiterem, wspólnym kolektorem lub wspólną bazą.
Jeżeli tranzystor pracuje w konfiguracji wspólnego emitera, to parametry czwómikowe mają w indeksie dodatkową literę e. Parametry czwómikowe możliwe są do wyznaczenia z charakterystyk tranzystora. Dla przykładu z charakterystyki wyjściowej dla stałej wartości napięcia l/CE, można wyznaczyć współczynnik /?11ez zależności:
/7ne = AI/be IIq.
Wartości parametrów czwómikowych zależą od wyboru punktu pracy tranzystora.
Jeśli punkt pracy tranzystora różni się od punktu pracy, dla którego zdefiniowano wartości parametrów typu h, to możliwe jest skorygowanie tych parametrów przez przemnożenie ich wartości przez współczynniki korekcyjne Heh względnie Heu, odczytane z odpowiednich wykresów korekcyjnych (rys. 1).
Tab. 1. Parametry czwómikowe tranzystora w konfiguracji wspólnego emitera
Schemat czwómikowy tranzystora
!q b
— -
-1»- ll/ee |
^.....j |
I | |
Parametr |
Definicja |
Warunki wyznaczenia parametru |
Zwarciowa [ impedancja wejściowa |
. _ AĆ/be |
Uce - const |
Rozwarciowy współczynnik oddziaływania : wstecznego |
. _ AC/be h'*>- AUce |
lQ = const |
Zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego |
h - A^C h21e-~w |
U ce - const |
Rozwarciowa admitancja wyjściowa |
h - h22e Tlfe |
lB = const |
h’ = h • Hei • Heu
h - parametr czwómikowy w nominalnym punkcie pracy
h' - parametr czwómikowy w rzeczywistym
punkcie pracy
Hei - prądowy współczynnik korekcyjny dla rzeczywistej wartości prądu kolektora /c
Heu - napięciowy współczynnik korekcyjny
dla rzeczywistej wartości napięcia 1/ce
Przykład:
Wyznaczyć rzeczywistą wartość zwarciowej rezystancji wejściowej h’11e tranzystora w jego rzeczywistym punkcie pracy określonym przez napięcie kolektor-emiter l/CE = 5 V i prąd kolektora /c = 0,5 mA. Znana jest wartość parametru b11e = 4,5 kQ w nominalnym punkcie pracy tranzystora określonym przez napięcie kolektor-emiter l/CE = 5V i prąd kolektora /c = 2 mA.
Rozwiązanie:
Ponieważ wartości napięć kolektor-emiter są identyczne w punktach pracy: nominalnym i rzeczywistym, to wartość współczynnika korekcyjnego HUgu = 1. Z rys. 1 dla wartości /c = 0,5 mA możemy odczytać wartość współczynnika korekcyjnego HUeJ - 3,2. Stąd h*n. - hue • H11e/ • H11eo = 4,5 kQ • 3,2 • 1 =14,4 kQ.