DSCF0778

DSCF0778



4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne

Rys. 1. Schemat rozpływu prądów w tranzystorze typu NPN


Rys. 2. Kierunki i oznaczenie prądów i napięć w tranzystorze typu NPN


Rys. 3. Charakterystyka wejściowa tranzystora NPN


Tranzystor bipolarny jest rezystorem o zmiennej rezystancji zależnej od wartości prądu bazy.

Zatem w odpowiednio spolaryzowanym (rys. 2 na poprzedniej stronie) tranzystorze bipolarnym prąd przepływa przez obszary zarówno typu N, jak i obszary typu R

Tranzystor bipolarny typu NPN przewodzi wówczas. gdy baza i kolektor są spolaryzowane dodatnio względem emitera.

Stosunek przyrostu prądu kolektora do przyrostu prądu bazy nazywany jest współczynnikiem wzmocnienia prądowego i oznaczany symbolem fi. Wartość tego współczynnika podawana jest dla określonej wartości napięcia kolektor-emiter.

Prąd elektronowy płynący w tranzystorze NPN dzieli się na prąd bazy i prąd kolektora (rys. 1). Jeśli prąd bazy nie płynie, to nie płynie również prąd kolektora. Zatem sterowanie prądu kolektora wymaga dostarczenia pewnej mocy wynikającej z przepływu prądu bazy i spadku napięcia na złączu baza-emiter.

Sterowanie tranzystorów bipolarnych wymaga dostarczenia mocy sterowania.

W tranzystorach bipolarnych występuje również prąd wsteczny /CB0 (prąd wsteczny złącza kolektor--baza przy otwartym emiterze). Ten niepożądany prąd występuje w wyniku zachodzenia zjawiska tworzenia się par elektron-dziura i nosi nazwę prądu zerowego kolektora. Ponieważ intensywność tworzenia par dziura-elektron jest funkcją temperatury, to także wartość prądu zerowego kolektora jest zależna od temperatury złącza. Prąd zerowy kolektora tworzy wraz z częścią prądu emitera prąd kolektora /c (rys. 1).

Charakterystyki tranzystorów bipolarnych W celu ułatwienia jednoznacznego porównywania parametrów tranzystorów ujednolicono ich oznaczenia i nazewnictwo charakterystycznych napięć i prądów tranzystorów bipolarnych (rys. 2). Napięcia oznaczane są przez zastosowanie odpowiednich reguł indeksowania. Na przykład napięcie UBB oznacza różnicę potencjałów bazy i emitera. W rzeczywistych układach napięcie to może przyjmować wartości zarówno dodatnie, jak i ujemne.

Oznaczenia: UBE = -0,7 V, - UBE = 0,7 V, UBB = 0,7 V są równoważne i wskazują na wyższy potencjał emitera względem bazy.


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
DSCF0792 (2) 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 167 Zakres liniowej pracy tranzyst
DSCF0781 156 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Rys. 1. Obszar pracy tranzystora N
DSCF0783 158 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Rys. 1. Współczynniki korekcyjne p
DSCF0770 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Efekt Zenera jest wykorzystywany w pra
DSCF0780 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 155 4.2 Półprzewodnikowe elementy i uk
DSCF0782 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 157 Pole obszaru pracy jest zależne od
DSCF0786 (2) 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 161 4.2 Półprzewodnikowe elementy
DSCF0788 (2) 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 163 diod napięcie maksymalne pomię
DSCF0790 (2) 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Jeśli złącze bramka-źródło nie jes
DSCF0794 (2) 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 169 Wzmacniacze te są przeznaczone
DSCF0774 149 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Janoda Si02 —.warstwa zaporowa Rys
DSCF0784 159 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Fototranzystory Rys. 1. Charaktery
DSCF0761 (2) 136 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczny Rozróżnienie układów o stałym
DSCF0762 (2) WĘ 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne nym wprowadzeniu (domieszkowani
DSCF0763 (2) 138 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektrony dla uproszczenia atomy przedstawio
DSCF0764 139 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne lencyjnego) do pasma przewodzenia
DSCF0765 140 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne krzem o przewodnictwie typu N elek
DSCF0768 (2) 14; 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne nego wynika ze zjawiska przewo
DSCF0771 146 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Diody mocy Do konstrukcji diod

więcej podobnych podstron