DSCF0782

4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 157

Pole obszaru pracy jest zależne od różnicy temperatury złącz tranzystora i otoczenia. Ogólnie, im mniejsza jest ta różnica, tym mniejszy jest dopuszczalny obszar pracy.

Ptot — Ib ' ^be +/c * Uc.

• lc' Uc

całkowita moc strat tranzystora graniczne wartości prądów bazy i kolektora tranzystora graniczne wartości napięć baza-emiter i kolektor-emiter tranzystora

Parametry statyczne

Parametry statyczne tranzystora odnoszą się do jego właściwości wykazywanych w warunkach przewodzenia przez tranzystor prądu stałego, a zatem w warunkach ustalonego i niezmiennego punktu

pracy. Dla tego samego typu tranzystora, produkowanego przez tego samego wytwórcę i należącego do tej samej grupy selekcyjnej, rozrzut parametrów statycznych i dynamicznych jest dość znaczny. Z tego powodu podawane są parametry o wartościach przeciętnych (średnia statystyczna) i ewentualnie histogramy tych parametrów.

Ib, Ir.

Ube > U_c

Wartości parametrów statycznych są podawane dla ściśle zdefiniowanego punktu pracy tranzystora sterowanego prądem stałym.

W wyniku występowania zjawiska przewodnictwa samoistnego w złączach PN tranzystora występuje przepływ prądów zwanych prądami zerowymi. Wartości prądów zerowych są zależne od temperatury złącz. Z punktu widzenia zastosowań tranzystorów prądy zerowe są prądami niepożądanymi. W tranzystorach bipolarnych wyróżnia się: zerowy prąd kolektora /_Cbo ¹ zerowy prąd emitera /_EB0 (prąd wsteczny złącza baza-emiter przy otwartym kolektorze).

Na charakterystyce wyjściowej tranzystora (rys. 1 na poprzedniej stronie) wyróżnić można charakterystyczny punkt przegięcia charakterystyki, w którym dalszym przyrostom napięcia kolektor-emiter odpowiada już bardzo niewielki wzrost prądu kolektora, przy tym samym prądzie bazy.

Wartość napięcia kolektor-emiter odpowiadająca punktowi przegięcia określana jest jako napięcie nasycenia¹ i oznaczana symbolem UcEsat- Wartość maksymalna napięcia kolektor-emiter tranzystora przy odłączonej bazie (/_B = 0) jest oznaczana symbolem Uceo-

Parametry dynamiczne

Parametry dynamiczne tranzystora odnoszą się do jego właściwości wykazywanych w warunkach przewodzenia przez tranzystor prądu przemiennego lub przy pracy impulsowej (w zastosowaniach cyfrowych). Do podstawowych parametrów dynamicznych tranzystora zaliczane są: zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego, pojemności złączowe, czasy przełączania, częstotliwość graniczna oraz parametry czwórnikowe.

Wartości parametrów dynamicznych są podawane dla ściśle zdefiniowanego punktu pracy tranzystora w warunkach sterowania prądem przemiennym.

Częstotliwość graniczna f_T definiowana jest jako częstotliwość wejściowego sygnału sterującego, przy której wartość zwarciowego współczynnika wzmocnienia prądowego fi osiąga wartość równą 1.

Parametrami czwórnikowymi tranzystora są parametry typu h² wyznaczane dla sterujących sygnałów nisko-częstotliwościowych (tab. 1 na następnej stronie) i parametry typu y wyznaczane dla sygnałów wysoko-częstotliwościowych. Parametry czwórnikowe h i y są wzajemnie równoważne w tym sensie, że parametry typu h mogą być przekształcone w parametry typu y i odwrotnie. Parametry h i y wyznaczane są w otoczeniu punktu pracy tranzystora dla niewielkich zmian prądów i napięć. Mają one istotne znaczenie w konstrukcji i analizie układów wzmacniających budowanych z wykorzystaniem tranzystorów. Dla przykładu parametr /?₂i reprezentuje współczynnik wzmocnienia prądowego wyznaczony dla prądu przemiennego przy zwartym obwodzie kolektor-emiter (zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego), a parametr /?₂₂ reprezentuje wartość odwrotności dynamicznej rezystancji wyjściowej wyznaczonej przy braku sygnału sterującego (składowej przemiennej).

1

   ang. sa tura te = nasycać;

2

   tac. hybrid = mieszany