DSCF0762 (2)

DSCF0762 (2)




4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne

nym wprowadzeniu (domieszkowaniu) atomów pierwiastków trójwartościowych, np. indu lub pięciowartościo-wych, np. antymonu, zarówno krzem, jak i german stają się dobrymi przewodnikami prądu elektrycznego.

Rezystywność właściwa domieszkowanego krzemu lub germanu, określająca ich zdolności przewodzenia prądu elektrycznego, jest znacznie wyższa niż dla izolatorów (materiałów nie przewodzących) i znacznie niższa niż dla metali (przewodników). Z tego powodu materiały te nazywamy półprzewodnikami, tzn, materiałami o pośrednich właściwościach przewodzących.

AJ2AA Przepływ prądu w metalach i półprzewodnikach

poziomy

energetyczne atomu


Model pasmowy atomu

Elektrony krążą w atomie po ściśle określonych torach zwanych powłokami lub orbitami (powłoki: K, L, M. N. O, P i Q). Energia krążącego elektronu związana jest z powłoką, po której on krąży. Ogólnie im powłoka jest bardziej oddalona od jądra atomu, tym energia elektronu jest większa. W każdej powłoce (rys. 1) wyróżniamy ponadto podpowłoki (stany energetyczne) zwane pasmami (s, p, d, f). Każda powłoka może być obsadzona przez ściśle określoną i ograniczoną liczbę elektronów. Jeśli w powłoce krąży maksymalna liczba elektronów, to mówimy, że powłoka jest całkowicie obsadzona.

model pasmowy

Rys. 1. Energetyczny model pasmowy atomu ciała stałego

metal    półprzewodnik

Rys. 2. Energetyczne modele pasmowe metali i półprzewodników


Miarą energii elektronu jest elektronowolt [eV]. Jeden elektronowolt odpowiada energii 1,602 -10'19 J. Właściwości elektryczne ciała stałego są zdeterminowane przez konfigurację pasm energetycznych, w tym w szczególności przez położenie pasma walencyjnego (podstawowego)1, pasma przewodzenia oraz odstępu energetycznego pomiędzy nimi (rys. 2).

Różnica pomiędzy pasmami walencyjnym i przewodzenia polega na tym, że w paśmie walencyjnym elektrony są związane z poszczególnymi atomami, podczas gdy w paśmie przewodzenia elektrony mogą swobodnie przemieszczać się pomiędzy atomami ciała stałego.

Przewodnictwo elektryczne metali

Cechą charakterystyczną metali jest zjawisko zachodzenia na siebie pasm: walencyjnego i przewodzenia (rys. 2). W związku z tym w metalach występuje względna swoboda przemieszczania się elektronów pomiędzy obu pasmami. Dzięki temu koncentracja swobodnych elektronów w paśmie przewodzenia może być znaczna Im większa jest koncentracja swobodnych elektronów w paśmie przewodzenia i ich ruchliwość, tym lepsze są właściwości przewodnictwa elektrycznego ciała stałego.

Ze wzrostem temperatury rośnie energia i ruchliwość elektronów w paśmie przewodzenia do tego stopnia, że coraz bardziej są prawdopodobne zderzenia elektronów swobodnych z atomami siatki krystalicznej ciała. Zjawisko to wpływa na ograniczenie ruchliwości elektronów.

W miarę wzrostu temperatury metali zmniejsza się swoboda poruszania się ich elektronów pozostających w paśmie przewodnictwa, a zatem pogarszają się ich właściwości przewodnictwa elektrycznego. Rezystancja właściwa metali rośnie ze wzrostem temperatury.

tac valens - silny, mocny


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
DSCF0761 (2) 136 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczny Rozróżnienie układów o stałym
DSCF0763 (2) 138 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektrony dla uproszczenia atomy przedstawio
DSCF0764 139 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne lencyjnego) do pasma przewodzenia
DSCF0765 140 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne krzem o przewodnictwie typu N elek
DSCF0768 (2) 14; 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne nego wynika ze zjawiska przewo
DSCF0771 146 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Diody mocy Do konstrukcji diod
DSCF0772 147 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne niewielka zmiana napięcia polaryzu
DSCF0773 148 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne niem termicznym diody. Najprostszy
DSCF0774 149 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Janoda Si02 —.warstwa zaporowa Rys
DSCF0775 150 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Tab. 1. Półprzewodnikowe diody
DSCF0777 152 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczny4.2.3 Tranzystory4.2.3.1 Tranzystor
DSCF0779 154 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Charakterystyka wejściowa
DSCF0781 156 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Rys. 1. Obszar pracy tranzystora N
DSCF0783 158 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Rys. 1. Współczynniki korekcyjne p
DSCF0784 159 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Fototranzystory Rys. 1. Charaktery
DSCF0785 160 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 160 4.2 Półprzewodnikowe elementy
DSCF0787 (2) 162 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 162 4.2 Półprzewodnikowe eleme
DSCF0789 (2) 164 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne pach kanałów sterowanych ze ws
DSCF0791 (2) 166 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne4.2.3.3 Obudowy tranzystorów i

więcej podobnych podstron