generat nap niesin004

generat nap niesin004



4 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki

tranzystora T\ jest zbliżone do wartości £/cei« +Ez- Wtedy, gdy kondensator C\ rozładowuje się kondensator C2 ładuje się w obwodzie: +Ez, Rcu emiter-baza Ti. Przy prawidłowym doborze elementów układu proces ładowania kondensatora C2, zachodzi szybciej niż proces rozładowania kondensatora C\.

Jeżeli napięcie na kondensatorze Cj, osiągnie wartość napięcia przewodzenia obwodu baza-emiter £/(to)i tranzystora Ti, to tranzystor ten zacznie przewodzić i napięcie na jego kolektorze zacznie maleć zwartości Uce\*+Ez do wartości LfcEsati- Napięcie zgromadzone na kondensatorze C2 («+.Ez) przenoszone jest na bazę tranzystora Ti, powodując przejście w stan odcięcia (potencjał bazy tranzystora Ti jest równy wartości -Ez w początkowej fazie rozładowywania kondensatora Ci - rys.10.3b, stała czasowa rozładowania wynosi RbiCi). Wzrasta, więc napięcie kolektora tego tranzystora do wartości Ucei* +Ez. Tranzystor Ti jest teraz w stanie odcięcia (przerwa) a tranzystor T\ w stanie nasycenia (zwarcie).

Amplituda impulsów wyjściowych multiwibratora ma wartość:

Um ~    ~ UCEsat    (10.2)

a czasy trwania poszczególnych cykli pracy wynoszą:

tx *RB2C2\n2*0,69RB2C2    (10.3)

t2*RBlCx\n2*0,69RBlCx    (10.4)

stąd okres drgań przerzutnika astabilnego:

T = tx +t2 ~ (RBXCX + RB2C2)\n2 ~ 0,69(RBlCx + RB 2C7)    (10.5)

Okres drgań przerzutnika astabilnego można zmieniać poprzez:

•    zmianę wartości elementów (Rb\, C\ lub Rb2, C2),

•    zmianę wartości napięcia, do którego ładują się kondensatory Ci i C2,

•    zmianę napięcia zasilającego obwód bazy tranzystorów T\ i Ti.

a)


Rx    b)



Rys. 10.4. Generator napiąć prostokątnych ze wzmacniaczem operacyjnym a) schemat układu, b) przebiegi opisujące działanie układu

Na rysunku 10.4 przedstawiono układ multiwibratora astabilnego, w którym wykorzystano wzmacniacz operacyjny objęty dodatnim sprzężeniem zwrotnym. Jego działanie polega na cyklicznej zmianie stanu nasycenia wzmacniacza - otrzymując na wyjściu przemiennie napięcie dodatnie lub ujemne. Na wejście wzmacniacza są podawane dwa napięcia: jedno z kondensatora Uc, ładowanego poprzez rezystor R\ z wyjścia wzmacniacza, drugie o ustalonej wartości z dzielnika rezystancyjnego tworzącego obwód dodatniego sprzężenia zwrotnego o współczynniku wzmocnienia:

Materiały powielane.


Wersja robocza skryptu z AEiUE - Gliwice 2009


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
generat nap niesin006 6 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki Rys. 10.5. Tranzystorowy przerzutnik
generat nap niesin002 2 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki Generowany przebieg charakteryzuje s
generat nap niesin008 8 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki b) Rys. 10.7. Uniwibrator zbudowany
generat nap sin002 2 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki Wiedząc, że: ii (9.1) U2p(jcj) = f2
generat nap sin004 4 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki 2.3. Generatory drgań sinusoidalnych LC
generat nap sin006 6 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki W generatorach przedstawionych na rysun
generat nap sin008 8 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki sprzężenia zwrotnego. Diody te spełniaj
generat nap niesin010 10 Analogowe Elementy I Układy Elektroniki Układ jest, więc przełączany przy d
DSCF0777 152 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczny4.2.3 Tranzystory4.2.3.1 Tranzystor
DSCF0778 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Rys. 1. Schemat rozpływu prądów w tran
DSCF0781 156 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Rys. 1. Obszar pracy tranzystora N
DSCF0791 (2) 166 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne4.2.3.3 Obudowy tranzystorów i
DSCF0792 (2) 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 167 Zakres liniowej pracy tranzyst
DSCF0793 (2) 168 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne Przykład: Tranzystor bipolarny
generat nap niesin003 Instrukcja do ćwiczenia - Generatory napięć niesinusoidalnych 3 a) b) Rys. 10.
DSCF0761 (2) 136 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczny Rozróżnienie układów o stałym
DSCF0762 (2) WĘ 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne nym wprowadzeniu (domieszkowani
DSCF0763 (2) 138 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektrony dla uproszczenia atomy przedstawio
DSCF0764 139 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne lencyjnego) do pasma przewodzenia

więcej podobnych podstron