S1032942

W

7. Generatory drgań sinusoidalnych

5. Te zależności można zastosować również do układu z tranzystorem jpgf w konfiguracji WG. Rezystancja wejściowa elementów JFET jest bardzo duża, przyjmując R, = eo otrzymuje się więc

, . (»-l)^2 % - J	H
ni ^n ~ ^1 _ W = gmRp-9- «-- Sm R n2 „	(7-5.6)

Interesujące jest to, że występuje maksimum wartości współczynnika» (określonego dokładną wersją zależności (7.5.6)) przy n = 2, tj. przy równości Lj = L₂. Można to łatwo wytłumaczyć. Przy wartości n mniejszej od 2 rezystancja R_t jest wprawdzie mała i małe jest napięcie U₂, ale sterowanie tranzystora może być wtedy dostatecznie silne, gdyż U_s = U₂l(n -1)> V_t Natomiast przy n większym od 2 rezystancja R_e jest duża i napięcie V₂ jest dlatego duże. Sterowanie tranzystora może więc być wtedy również dostatecznie silne, chociaż z podziału napięć przy n > 2 wynika U_l < U₂.

Ze względu na warunek w > 1, iloczyn g_mR'_R musi być duży; nawet przy n = 2 powinien być co najmniej równy 4.

Powyższe zależności mogą być zastosowane również do układu generatora Colpittsa, dla którego n = I + C,/C₂-

Zadanie 7.6. Generator Hartleya z tranzystorem NJFET w konfiguracji WD

Zaprojektować układ generatora Hartleya z tranzystorem polowym NJFET w konfiguracji WD, zasilany ze źródła +10 V. Częstotliwość generacji f₀ = 5 MHz, rezystancja obciążenia R„_b = 10 kil. Dobroć elementów indukcyjnych Q_l= 160, dobroć kondensatora Q_c = 4000. Amplituda sygnału wyjściowego powinna być duża, lecz taka, by chwilowy punkt pracy tranzystora nie wkraczał zbytnio w obszar triodowy, chodzi bowiem o małe zniekształcenia, Proponuje się wykorzystać NJFET o parametrach K_d = 1,6 mA/V², U_P = —2,8 V, C,₀ = 1,9 pF, C* = 2,3 pF. Proponuje się też, w celu zapewnienia dobrej filtracji harmonicznych, by dobroć obwodu obciążonego Q'₀ była co najwyżej 4-krotnie mniejsza od dobroci obwodu nie obciążonego Q, (x = 1/4).

Rozwiązanie

1. Przyjmuje się układ generatora jak na rys. 7/6.1. Rezystancja obdązeW Rot jest dołączona bezpośrednio do obwodu rezonansowego, chociaż moi być zastosowane również sprzężenie pojemnościowe. Wprowadzono sprzężenie z bramką przez układ C_t, R_t, w którym może powstawać również mK cie „automatycznej” polaryzacji pod wpływem impulsów prądowych płyt* cych prze/ złąc/e bramka kanał Re/ystancia R . wnrowłh^Ma dMU

/

ijsśeniezw

**sg*

^Bkl

Sc