wszystkie stopnie są identyczne (>v kaskadzie inwerterowej zachodzi jedynie cykliczna inwersja sygnału). Sygnały różniące się od wartośc®^^^^M przy przechodzeniu prze/, kaskadę układów wtórnikowych mogą być zregenerowane j|f wartości Uh lub Ul, zależnie od wartości początkowej napięcia sygnału na wejściu u™ względem napięcia Dr, wyznaczonego przez -środkowy punkt C przecięcia charakterystyk przejściowych;,s
RjH 3. Regeneracja-sygnału ik- długim łańcuchu układów; b) wtórnikowych i c) inwerterowych.
napięcia sygnału T potencjalnie niestabilną w kaskadzie, gdyż każde dowolnie małe^^^Kyłenie wartości sygnału od Ut zapoczątkowuje regenerację sygnału w kierunku napięcia Uh lub Ui„ zaleznie^od kierunku odchylenia.
Charakterystyki prądpwo-napięciowe wejściowe i wyjściowe służą do określenia warunków sterowania i oba^^ńia uk ladł-jw logicznych. W szczególności, na ich podstawie można wyznaczyć współczynnik 1 c/.i cni a. jlBB zwany wzmocnieniem logicznym, wyrażaj ącym maksymalnie
dopuszczalną liczby układów tego samego typu, jakie mogą być równolegle sterowane z jednego wyjścia.
Charakterystyki wejściowe i wyjściowe mogą mieć różny przebieg, zależnie od typu układu i technologii. Na rf||MkU ;4 przedstawiono przykład prostego układu NAND typu TTL, którego ch.Hukiii” styk* dla pewnego^s/częgólnego przypadku przedstawiono na rysunku 5. Charakterystyki wyjściowe zostały zdjęte dla dwóch możliwych stanów na wyjściu - w stanie H, gdy tranzystor T4 jest zatkany, a-Tp nasycony i w stanie L - gdy tranzystor jest B jest nasycony, a T3 zatkany. Dla stanu H układ eńBBwprądj.-a charakterystyka jest łinią prostą przechodzącą przez punkt wyznaczony na osi u„, przez wartość rrapi§SpzasilająęegO!jjSzi Dla stanu L układ absorbuje prąd; zdolność absorbcyjna zależy od stopnia nasycenia, a po przekroczeniu pewną wartości prądu absorbowanego, tranzystor TM wychodzi z nasycenia
SSj|t;barakterystyka wejściowa jest jedna i dla układu NAND powinna być zdejmowana przy załączeniu do pozostałych wejść potencjału wysokiego.