skany001

Laboratorium przyrządów półprzewodnikowych dla II roku Telekomunikacji i Aparatury Elektronicznej

Spis ćwiczeń

(N CO

I.    CHARAKTERYSTYKI STALOPRĄDOWE DIODY p'-_n - diody prostownicze POJEMNOŚĆ ZŁĄCZA p'-n - diody pojemnościowe

PARAMETRY MAŁOSYGNALOWE DIODY - diody detekcyjne Schottky’ego

4.    EFEKTY DYNAMICZNE PRZEŁĄCZANIA DIODY - diody impulsowe

5.    DIODY SPECJALNE: stabilizacyjne i tunelowe

6.    PARAMETRY TERMICZNE DIODY

7.    TRANZYSTORY JEDNOZŁĄCZOWE

8.    TYRYSTORY I TRIAKI

9.    CHARAKTERYSTYKI STALOPRĄDOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

10.    PARAMETRY MAŁOSYGNALOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

II.    WZMACNIACZ EMITEROWY

12 PARAMETRY IMPULSOWE TRANZYSTORÓW

13.    REZYSTANCJA TERMICZNA TRANZYSTORÓW MOCY

14.    ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE 15 TRANZYSTORY POLOWE MOS

PLAN ZAJĘĆ LABORATORYJNYCH w r.a. ‘99/00 w wymiarze czasowym 10x(3x45’)= 30 godzin lekcyjnych

1°- zajęcia wprowadzające (3-9.X.99)

2° - I tura 4. zajęć laboratoryjnych (listopad ’99):

3° - II tura 4. zajęć laboratoryjnych (grudzień ’99 - styczeń 2000!)

4° - zaliczenia i ewentualny termin poprawkowy (styczeń ’00)

W I turze zajęć będą wykonywane ćwiczenia pojedyncze lub w zestawach:

I .+5., 2., 4., 9., oraz 10.+ 11 w 11 turze:

6,(1 13 ), 7. 18., 12., 14., i 15.