skany

Laboratorium przyrządów półprzewodnikowych dla II roku Telekomunikacji i Aparatury Elektronicznej

Spis ćwiczeń

L*J tU

I.    CHARAKTERYSTYKI STALOPRĄDOWE DIODY p^H-_n - diody prostownicze POJEMNOŚĆ ZŁĄCZA p -n - diody pojemnościowe

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE DIODY - diody detekcyjne Schottky ego

4.    EFEKTY DYNAMICZNE PRZEŁĄCZANIA DIODY - diody impulsowe

5.    DIODY SPECJALNE: stabilizacyjne i tunelowe

6.    PARAMETRY TERMICZNE DIODY

7.    TRANZYSTORY JEDNOZŁĄCZOWE

8.    TYRYSTORY I TRIAKI

9    CHARAKTERYSTYKI STALOPRĄDOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

10    PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

II.    WZMACNIACZ EMITEROWY

12    PARAMETRY IMPULSOWE TRANZYSTORÓW

13    REZYSTANCJA TERMICZNA TRANZYSTORÓW MOCY

14    ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE

15    TRANZYSTORY POLOWE MOS

PLAN ZAJĘĆ LABORATORYJNYCH w r.a. ‘99/00 w wymiarze czasowym 10x(3x45’)= 30 godzin lekcyjnych

1°- zajęcia wprowadzające (3-9.X.99)

2° - I tura 4 zajęć laboratoryjnych (listopad ’99):

3° -- II tura 4. zajęć laboratoryjnych (grudzień ’99 - styczeń 2000!)

4" - zaliczenia i ewentualny termin poprawkowy (styczeń ’00)

W 1 turze zajęć będą wykonywane ćwiczenia pojedyncze lub w zestawach:

1.-15., 2., 4., 9., oraz 10+1 L, w 1! turze

6(1 13 ), 7 • 8    12., 14., i 15.