skany002

skany002



4

1. CHARAKTERYSTYKI STAŁOPRĄDOWE DIODY P'N

- diody prostownicze.

1.1. Równanie diody

Parametry elektryczne diod półprzewodnikowych są określone rodzajem i strukturą krystaliczną materiału półprzewodnikowego oraz właściwościami złącza PN. Wielkość prądu diody iD zależy od kierunku i wartości przyłożonego napięcia uD (rys. 1.1).


Linia prosta aproksymująca duże prądy diody w kierunku przewodzenia dla uh u,p>0 wyznacza napięcie zagięcia charakterystyki IIK (K - knee), które pozwala rozróżnić materiał półprzewodnikowy: około 0,4 V dla Ge, 0.7 V dla Si i 1,6 VdlaGaAs.

100-■

[pA]

hi

Rys. 1.1. Charakterystyka napięciowo-prądowa krzemowej diody złączowej


Prąd w kierunku przewodzenia iD"'ip przewyższa prąd rewersyjny iR setki i tysiące razy - stąd należy pamiętać, • że skale prądowe na poglądowych charakterystykach diod dla obu kierunków są różne. Przy dużych napięciach ujemnych uR=un< <0 bardzo szybko wzrasta prąd rewersyjny. Przy napięciu UB obserwujemy przebicie elektryczne diody, które często kończy się jej zniszczeniem. W warunkach statycznych parametry charakterystyki w kierunku przewodzenia i rewersyjnym są mierzone oddzielnie,

Prąd diody rzeczywistej w kierunku przewodzenia jest zasadniczo sumą prądów dwóch modelowych diod: rekombinacyjnej i dyfuzyjnej

/ 'rr>

>

^ UD ~lDrS

\

h) ^ GRO

e 2L'r

-1

e 1>T

-1

V

J

\

J

gdzie:

/f;«o-zerowy prąd generacyjno-rekombinacyjny w obszarze złącza PN przy uD u,.—>0, /„ - prąd rewersyjny nasycenia nośników mniejszościowych przy u,y uR■ 0, rs - rezystancja szeregowa diody (głównie jej bazy),

IJT- potencjał elektrodynamiczny (l]r=kT/q = 0,026 V przy 300 K),

iiirh^s - napięcie bezpośrednio na złączu, przeciwne napięciu dyfuzyjnemu i//a.

Każda z tych diod staje się bardziej widoczna na charakterystyce diody rzeczywistej przedstawionej w półlogarytmicznym układzie współrzędnych (lnia uD) lub (log/ft uDróżnym nachyleniem charakterystyki (rys. 1.2). Przy bardzo uważnej analizie jej przebiegu można wyróżnić pięć zakresów w kierunku przewodzenia {ud-Uf>0): małych prądów, rekombinacyjny, dyfuzyjny, dryftowy (przy wysokim poziomie iniekcji) i omowy, ora? ' zakresy w kierunku zaporowym {uD =uR<0): małych prądów, nasycenia i przebicia Jak widać z przebiegu charakterystyki ln/D=f(wD) i nachyleń prostyr1-poszczególnych zakresach, udział prądu rekombinacyjnego jest decydu

/


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
skany charakterystyk cw1 diody (5) WYHRESY    M>Q ZEJ/źRfi w Kt£RUA/tfU ^fofiowyM
skany007 Ł2. POJEMNOŚĆ ZŁĄCZA P+-N - diody pojemnościowe2.1. Ładunki i pojemności w złączu P-N Przy
skany020 4. EFEKTY DYNAMICZNE PRZEŁĄCZANIA DIODY- diody impulsowe4.1. Przełączanie diody Metodę obse
skany024 5 5 Rys.4.6. Odpowiedź napięciowa diody sterowanej dodatnim impulsem prądowym. W tym przypa
skany038 5 5 Rys.4.6. Odpowiedź napięciowa diody sterowanej dodatnim impulsem prądowym W tym przypad
skany046 Rys.5.7. Warunki pracy diody tunelowej jako: (o) - wzmacniacza parametrycznego (Re * >v
skany051 36.2. Rezystancja termiczna diody 6.2.1. Definicje podstawowe Jednym z głównych czynników d
PIC14 ■ * 7‘ - 44SB Rys.2.6. Charakterystyka wsteczna diody Zenem Przykładowe oznaczenie diody Zen
rys2a Rys. 7.7. Charakterystyka statyczna diody półprzewodnikowej Uzz    graniczne na
dioda4 diody gd (2p) m jgtó; iS 10. Dioda półprzewodnikowa jest opisana równaniem Shockley a z param
Z4. Zaprojektować układ do automatycznego zdejmowania charakterystyki statycznej diody półprzewodnik

więcej podobnych podstron