4
Parametry elektryczne diod półprzewodnikowych są określone rodzajem i strukturą krystaliczną materiału półprzewodnikowego oraz właściwościami złącza PN. Wielkość prądu diody iD zależy od kierunku i wartości przyłożonego napięcia uD (rys. 1.1).
Linia prosta aproksymująca duże prądy diody w kierunku przewodzenia dla uh u,p>0 wyznacza napięcie zagięcia charakterystyki IIK (K - knee), które pozwala rozróżnić materiał półprzewodnikowy: około 0,4 V dla Ge, 0.7 V dla Si i 1,6 VdlaGaAs.
100-■
[pA]
hi
Rys. 1.1. Charakterystyka napięciowo-prądowa krzemowej diody złączowej
Prąd w kierunku przewodzenia iD"'ip przewyższa prąd rewersyjny iR setki i tysiące razy - stąd należy pamiętać, • że skale prądowe na poglądowych charakterystykach diod dla obu kierunków są różne. Przy dużych napięciach ujemnych uR=un< <0 bardzo szybko wzrasta prąd rewersyjny. Przy napięciu UB obserwujemy przebicie elektryczne diody, które często kończy się jej zniszczeniem. W warunkach statycznych parametry charakterystyki w kierunku przewodzenia i rewersyjnym są mierzone oddzielnie,
Prąd diody rzeczywistej w kierunku przewodzenia jest zasadniczo sumą prądów dwóch modelowych diod: rekombinacyjnej i dyfuzyjnej
/ 'rr> |
> |
^ UD ~lDrS |
\ | ||
h) ^ GRO |
e 2L'r |
-1 |
e 1>T |
-1 | |
V |
J |
\ |
J |
gdzie:
/f;«o-zerowy prąd generacyjno-rekombinacyjny w obszarze złącza PN przy uD u,.—>0, /„ - prąd rewersyjny nasycenia nośników mniejszościowych przy u,y uR■ 0, rs - rezystancja szeregowa diody (głównie jej bazy),
IJT- potencjał elektrodynamiczny (l]r=kT/q = 0,026 V przy 300 K),
iiirh^s - napięcie bezpośrednio na złączu, przeciwne napięciu dyfuzyjnemu i//a.
Każda z tych diod staje się bardziej widoczna na charakterystyce diody rzeczywistej przedstawionej w półlogarytmicznym układzie współrzędnych (lnia uD) lub (log/ft uD) różnym nachyleniem charakterystyki (rys. 1.2). Przy bardzo uważnej analizie jej przebiegu można wyróżnić pięć zakresów w kierunku przewodzenia {ud-Uf>0): małych prądów, rekombinacyjny, dyfuzyjny, dryftowy (przy wysokim poziomie iniekcji) i omowy, ora? ' zakresy w kierunku zaporowym {uD =uR<0): małych prądów, nasycenia i przebicia Jak widać z przebiegu charakterystyki ln/D=f(wD) i nachyleń prostyr1-poszczególnych zakresach, udział prądu rekombinacyjnego jest decydu
/