skany021

2

zaporowej przy napięciu U_A - nieco mniejszym od U_}, Dziury w zasadniczej swej ilości opuszczają ten ładunek przez złącze, a tylko w części rekombinują na miejscu z elektronami. Nadmiarowe elektrony w neutralnym n-obszarze odpływają przez kontakty omowe do obwodu zewnętrznego. W wyniku tych procesów następuje rozładowanie pojemności dyfuzyjnej.

Stały w okresie 0< t < t_s prąd rewersyjny 1_R jest więc określony stałym i dodatnim nachyleniem rozkładu ładunku nadmiarowego dziur Ap_fl(x,t)= p_n{x) - p_no w pobliżu krawędzi warstwy zaporowej przy jr=0 (rys.4.3), i zgodnie z ogólną zależnością wynosi

(4.3)

Od momentu gdy Ap_n{x= 0+)=0, prąd rewersyjny maleje coraz szybciej, bowiem wówczas zaczyna poszerzać się warstwa zaporowa złącza w głąb obszaru neutralnego typu n, jako słabiej zdomieszkowanego, wymiatając wszystkie nośniki ruchome z tego obszaru -aż osiągnie stałą szerokość, właściwą dla zewnętrznego napięcia zaporowego U₂. Jest to czas ładowania pojemności złączowej Cj, która w momencie i_rr osiąga 90% swojej wartości końcowej. Przez złącze spolaryzowane stałym napięciem zaporowym płynie już tylko rewersyjny prąd nasycenia nośników mniejszościowych l_s o bardzo małej wartości.

Analiza ilościowa zachowania się ładunku nadmiarowego (rys.4.3), oparta na równaniu kontrolnym ładunku oraz równaniu określającym ładowanie się pojemności złącza, pozwala wyznaczyć czas magazynowania t_s jako funkcję obu prądów l_F i 1_R w postaci

lH

Rys.4.3. Czasowe zmiany rozkładu ładunku nad-

(4.4)

gdzie T), - charakterystyczna stała czasowa

*~^x diody, zależna od jej konstrukcji; dla diody z

*    Ł.UJU TI V 4—1 i 111411 V4 I\ JŁ4 VI14 1UUU11 (V Ił I łtłVł    lit    •    '    •

miarowego dziur po przełączeniu diody p -n drugą bazą, równa v_f) - czasowi życia dziur jako

nośników mniejszościowych - w n-obszarze. Jeżeli pominiemy efekty związane z ładowaniem pojemności złączowej, to wystarczy przyjąć, że

(4.5)

Oczywiście, że l_R<0 oraz I,,>().