skany035

2

« *

zaporowej przy napięciu U_Ą - nieco mniejszym od U_F. Dziury w zasadniczej swej ilości opuszczają ten ładunek przez złącze, a tylko w części rekombinują na miejscu z elektronami. Nadmiarowe elektrony w neutralnym n-obszarze odpływają przez kontakty omowe do obwodu zewnętrznego. W wyniku tych procesów następuje rozładowanie pojemności dyfuzyjnej.

Stały w okresie 0< t < t_s prąd rewersyjny 1_R jest więc określony stałym i dodatnim nachyleniem rozkładu ładunku nadmiarowego dziur Ap_n{x,l)= p_n(x) - p_no w pobliżu krawędzi warstwy zaporowej przy x=0 (rys.4.3), i zgodnie z ogólną zależnością wynosi

(4.3)

Od momentu gdy żfy?„(.x=0+)=0, prąd rewersyjny maleje coraz szybciej, bowiem wówczas zaczyna poszerzać się warstwa zaporowa złącza w głąb obszaru neutralnego typu n, jako słabiej zdomieszkowanego, wymiatając wszystkie nośniki ruchome z tego obszaru -aż osiągnie stałą szerokość, właściwą dla zewnętrznego napięcia zaporowego U₂. Jest to czas ładowania pojemności złączowej C, która w momencie l_rr osiąga 90% swojej wartości końcowej. Przez złącze spolaryzowane stałym napięciem zaporowym płynie już tylko rewersyjny prąd nasycenia nośników mniejszościowych I_s o bardzo małej wartości.

Analiza ilościowa zachowania się ładunku nadmiarowego (rys.4.3), oparta na równaniu kontrolnym ładunku oraz równaniu określającym ładowanie się pojemności złącza, pozwala wyznaczyć czas magazynowania t_s jako funkcję obu prądów f_F i I_R w postaci

Rys.4 3. Czasowe zmiany rozkładu ładunku nad-

,r X* t'Oi.

(4.4)

1 +

I

H

gdzie t_f - charakterystyczna stała czasowa

diody, zależna od jej konstrukcji; dla diody z

¹    » . —• * V.-    »' V    IV/ Ił U1VIU ICluwl 11 f\ ti I | Cl V*    J11    '    _t

miarowego dziur po przełączeniu diody p'-n długą bazą, równa T_p - czasowi życia dziur jako

nośników mniejszościowych - w n-obszarze. Jeżeli pominiemy efekty związane z ładowaniem pojemności złączowej, to wystarczy przyjąć, że

(4.5)

Oczywiście, że I_R<0 oraz /_/(>0.