skany033

(dla rozwartego obwodu)

(3 19)

Zatem dla detektora diodowego przy zerowej częstotliwości granicznej czułość prądowa wynosi

(i =    i •, o) zaś czułość napięciowa

W diodach Schottky’ego rezystancja małosyganałowa r_d jest dużo większa niż rezystancja szeregowa R,. Zatem pierwsze dwa składniki po prawej stronie równania (3 15) można pominąć, a wtedy okaże się, że czułość prądowa jest określona krzywizną charakterystyki w punkcie pracy

2nU_r 2 }>kT

(3.22)    /[mA]“

Jeżeli pominiemy R_s jako małe względem r_d w równaniach (3.16) i (3.17), to otrzymamy przybliżoną zależność częstotliwościową czułości prądowej

r

1 +

(3.23)

Jest to dolnoprzepustowa zależność z częstotliwością odcięcia

f

J Cu

2xC_jyfcR,

(3.24)

L. 2. 1    4.

0    0,2    0,4    0,6 (VI u

Rys.3.5. Cliarakterystyki diocl detekcyjnych 1.- Scholtky.ego z polaryzacją zerową

(ZBS), 2.-krzemowa punktowa, 3.- nisko-barierowa Schottky’ego (LBS), 4 - wysoko-barierowa Schotlky’ego (/IBS).

Zatem dla dobrej szerokozakresowej detekcji istotne są małe wartości pojemności złączowej i rezystancji szeregowej. Przy typowej dużej rezystancji złącza w diodach Schottky’ego działają one jako źródła prądu w niskoomowych układach mikrofalowych, a więc należy oceniać przede wszystkim ich czułość prądową. Ponadto przy dużej wartości r_d mianownik w wyrażeniu (3 23) jest dużo większy od jedności. Tak więc czułość mikrofalowa diod Schottky’ego jest dużo mniejsza niż przy prądzie stałym. Wzrasta ona jednak ze spadkiem temperatury diody - zgodnie z (3.22) - czemu przeciwstawia się wzrost r_d ze spadkiem temperatury. Z drugiej strony jesteśmy w stanie temu zaradzić poprzez zwiększenie prądu lu'' I,, na dwa sposoby: gorszy (bo zwiększymy szumy) - poprzez większy prąd polaryzacyjny, ale lepiej jest znaleźć diodę z większym prądem zerowym J_u, czyli z mniejszą wysokością bariery Schottky’ego (Low-Barrier Scholtky diodę, albo LBS diodę) - rys.3.5.