skany043

Anar^:'^;100 mA

Rys.5.3. Układ do pomiarów charakterystyki iy. /,.(//«) diod stabilizacyjnych.

2. Powyższy układ pomiarowy z diodą BZP683C4V7 uzupełniamy o rezystancję obciążenia R,= 5,1 kQ (podobnie jak na rys.5.1a.) i zmieniamy potencjometrem RZN napięcie wejściowe U_s wewnętrznego stabilizatora w module TM1. Następnie mierzymy i wykreślamy charakterystyki zmontowanego stabilizatora na tej diodzie:

a) . u_L(u_s) z rezystorem obciążenia R_L

b) . u,U,) przy U<r 10V.

Podczas pomiarów należy ocenić jak wpływają na prąd stabilizacyjny (Zenera) fluktuacje zasilania i obciążenia.

3. Montujemy na module pomiarowym TM2 układ do obserwacji charakterystyk diod stabilizacyjnych wg rys.5.4. Podczas obserwacji staramy się dokładnie odrysować krzywe uzyskane na ekranie oscyloskopu.

Układ do obserwacji charakterystyki diody i_y iA»id na ekranie oscyloskopu.

4.    W sprawozdaniu należy wykreślić zależności r Aj,).

5.    Wyznaczyć także charakterystyczne parametry układu stabilizacyjnego A,

kpi. i k_p_

6.    Dokonać w miarę pełnej analizy parametrów i warunków pracy badanych diod.

7.    Wyniki obliczeń i parametry diod porównać z danymi katalogowymi.

Rys. 5.

5.3. Diody tunelowe

Jeżeli obszar złącza diody zostanie jeszcze bardziej zdmieszkowany niż w diodzie Zenera, to napięcie przebicia takiego złącza stanie się bliskie zeru; U_z0*0. Dioda p‘^ł'^f-n⁺⁺, która ma większą rezystancję w kierunku przewodzenia niż w kierunku zaporowym jest diodą