1
Zmiany temperatury mają duży wpływ na podstawowe parametry diody. Rezystancja w kierunku rewersyjnym najbardziej zmienia się z temperaturą. Dlatego w analizie termicznej charakterystyki stałoprądowej diody Id=Id(Ud) podstawowym i relatywnym parametrem jest temperaturowy współczynnik prądu rewersyjnego nasycenia nośników mniejszościowych
(in/J
(6.1)
Wpływ temperatury na prąd rewersyjny nasycenia jest uwarunkowany głównie zależnością temperaturową koncentracji nośników samoistnych n,, bowiem
(6.2)
gdzie: I£s0 - przerwa energetyczna w 7-0.
W ten sposób korzystając z definicji z (6.1), mamy
(6.3)
Dla krzemu o £s= 1,21 eV w 300 K łatwo wykazać, że 7#70=15 %/K. Jednakże przy polaryzacji zaporowej duży udział w prądzie rewersyjnym ma prąd generacyjny IGRo, który jest proporcjonalny tylko do nt. Zatem postępując jak wyżej, otrzymamy
(6.4)
Zatem jego względne zmiany, wyznaczane w podobny sposób jak dla /„, wyniosą tylko ~7,5 %/K. Przy różnym ilościowo wkładzie obu tych prądów w całkowity prąd rewersyjny jego względne zmiany zwykle wynoszą nie więcej niż 9 %/K.
Wpływ temperatury na charakterystykę diody w kierunku przewodzenia jest rozpatrywany przy napięciach z zakresu prądów dyfuzyjnych, gdy n «1. Wówczas dla itr, ■ l można przyjąć, że
(6.5)
oraz uogólniając definicję TWI0, mamy