w11

IV, = Nc exp[ -(W_c - W_F)/kT] p₀ = N_v exp[ -(W_F-W_v) /kT] dla W_F> W_v+kT

W półprzewodniku samoistnym (niedomieszkowanym) n₀ = p₀ = n,

i Jeżeli N_e = N_v

W_e-W_F W_F-W_V

n, - koncentracja samoistna

W +w

W_r=-T-^C- = W_F.

Ft

2

kT kT

PÓŁPRZEWODNIK
9	SAMOISTNY
	a) rozkłady gęstości stanów
f{W)N(W)	b) prawdopodobieństwa obsadzenia stanów

c) koncentracje

elektronów n„ i dziur p„ | w pasmach

Poziom Fermiego dla półprzewodnika samoistnego znajduje się (niemal dokładnie ) w j połowie przerwy energetycznej W_a i jego położenie nie zależy od temperatury.*Niewielkie przesunięcie W_Fi w stosunku do środka przerwy wynika z różnicy mas efektywnych m_n i m_p.

Wa

W

	V T>0K
			T-OK

N(W)

OJ 1 f(W)

-ft