Idealny półprzewodnik samoistny charakteryzuje się doskonała symetrią sieci krystalicznej, nie zawiera on obcych atomów (zanieczyszczeń i domieszki), nie występują w nim defekty strukturalne.
^Materiał Parametr |
. |
. |
GaAs |
Koncentracja atomów lub molekuł . . M |
2...5 1028 |
4,42 1028 |
2.211028 |
Koncentracja nośników samoistnych n, K3] |
1,4 1016 |
2,4 1019 |
10« |
O koncentracjach nośników w określonym półprzewodniku (np.Si) i w danej temperaturze T decyduje położenie poziomu Fermiego WP
W T = 300K w krzemie około 1013 elektronów „zrywa” wiązania kowalencyjne i staje się elektronami swobodnymi (na jednowymiarowym modelu pasmowym odpowiada to ich przejściu z pasma wowego/walencyjnego do pasma przewodnictwa).