skanuj0004

70

Zadanie 3.29

Punkt pracy idealnego krzemowego tranzystora wyciąganego (przemiennie domieszkowanego - zależność jak dla stopowego) n-p-n wynosi I_E = -4 mA, U_Cb ⁼ 2 V. Obliczyć parametry admitancyjne tego tranzystora w zakresie małych częstotliwości.

Dane: p_c= 5 Qcm, p_b = 3 Qcm, W_B = 15 pm, y = 0.99, a = 0.985.

Zadanie 3.30

Obliczyć elementy macierzy [h] i [y] tranzystora idealnego w konfiguracjach WB i WE na podstawie modelu dwuelementowego wiedząc, że współczynnik wzmocnienia prądowego |3 = 100 przy wartości prądu kolektora I_c = 1 mA.

Zadanie 3.3!

Znaleźć elementy macierzy [y] tranzystora, jeśli dane są jego parametry mieszane [h]. Obliczenia przeprowadzić dla tranzystora, który w układzie WB posiada parametry [h] o następujących wartościach: hn_b = 29.7 Q, h|_2b = 4.89-10^-4, h₂|_b = -0.99, h_22b = = 0.396-10'⁶ S.

Zadanie 3.32

Wyznaczyć parametry macierzy [h] i [y] tranzystora w konfiguracji WB dla małych częstotliwości na podstawie parametrów modelu fizycznego. Uwzględnić rezystancję rozproszoną bazy r_bb- i konduktancję g_cc między kolektorem i emiterem.

Zadanie 3.33

Wyznaczyć parametry macierzy [h] i [y] tranzystora w konfiguracji WE dla małych częstotliwości na podstawie parametrów modelu fizycznego. Uwzględnić rezystancję rozproszoną bazy r_bb. i konduktancję g_ce między kolektorem i emiterem.

Zadanie 3.34

Przy określonej polaryzacji parametry małosygnałowe tranzystora idealnego w konfiguracji WB wynoszą: rezystancja r_cb- = 10 Q, transkonduktancja g_m = 98 mS. Ile wynosi rezystancja r_b-_c tego tranzystora w konfiguracji WE przy tej samej polaryzacji?

Zadanie 3.35

Wyznaczyć zwarciową rezystancję wejściową tranzystora w konfiguracji WB uwzględniając rezystancję rozproszoną bazy r_bb- .

Dane: l_c = 10 mA, P = 120, r_bb> = 100 fi.