skanuj0005

71

Zadanie 3.36

Zmierzono parametry [h] tranzystora bipolarnego w punkcie pracy I_B = 20 pA, l_c = 2 mA, Uce = 5 V. Wynoszą one: hi_k = 1.5 kQ, h_t2e ⁼ 0, h_2)e = 100, h_22c = 5pS. Obliczyć wartość rezystancji rozproszonej bazy r_bb' tego tranzystora.

Zadanie 3.37

Określić parametry [h] układu Darlingtona mając dane parametry [h] tranzystorów wchodzących w jego skład.

Dane:
T':	bile' ^:	= 70.2 kn	hi2c' = 2.6 10
	baie'^=	= 88	h22e' = 5.4 pS
yu.	bile"	= 0.67 kQ	hl2e" = 1.22 10
	b21e"	= 238	h22e" = 86.5 pS

Zadanie 3.38

Znając macierz [y]_b tranzystora dla konfiguracji WB wyznaczyć parametry macierzy [y] w pozostałych dwóch konfiguracjach.

Zadanie 3.39

Obliczyć częstotliwość graniczną f_a czterech idealnych tranzystorów:

a)    germanowego p-n-p,

b)    germanowego n-p-n,

c)    krzemowego p-n-p,

d)    krzemowego n-p-n.

We wszystkich tranzystorach p_b= 1.2 Ocm, W_B = 18 pm.

Zadanie 3.40

W idealnym stopowym tranzystorze germanowym p-n-p N_db = 6-10¹⁴ cm’³, N_ac = 6-10¹⁸ cm'³, W_B = 16 pm. Wykreślić zależność f_a = f(U_CB) w zakresie napięć 0 -r -10 V.

Zadanie 3.41

W ośmiu idealnych tranzystorach częstotliwość graniczna f_a jest identyczna i wynosi 12 MHz, każdy z tych tranzystorów ma inną wartość a: 0.95; 0.96; 0.97; 0.98; 0.985; 0.99; 0.995; 0.998. Znaleźć częstotliwości fp oraz f_t tych tranzystorów.

Zadanie 3.42

Obliczyć częstotliwość f_T oraz współczynnik wzmocnienia prądowego p tranzystorów krzemowych n-p-n i p-n-p dla danych: grubość bazy W_H = 10 pm, stałe dyfuzji D_p =