71
Zadanie 3.36
Zmierzono parametry [h] tranzystora bipolarnego w punkcie pracy IB = 20 pA, lc = 2 mA, Uce = 5 V. Wynoszą one: hik = 1.5 kQ, ht2e = 0, h2)e = 100, h22c = 5pS. Obliczyć wartość rezystancji rozproszonej bazy rbb' tego tranzystora.
Zadanie 3.37
Określić parametry [h] układu Darlingtona mając dane parametry [h] tranzystorów wchodzących w jego skład.
Dane: | |||
T': |
bile' : |
= 70.2 kn |
hi2c' = 2.6 10 |
baie'= |
= 88 |
h22e' = 5.4 pS | |
yu. |
bile" |
= 0.67 kQ |
hl2e" = 1.22 10 |
b21e" |
= 238 |
h22e" = 86.5 pS |
Zadanie 3.38
Znając macierz [y]b tranzystora dla konfiguracji WB wyznaczyć parametry macierzy [y] w pozostałych dwóch konfiguracjach.
Zadanie 3.39
Obliczyć częstotliwość graniczną fa czterech idealnych tranzystorów:
a) germanowego p-n-p,
b) germanowego n-p-n,
c) krzemowego p-n-p,
d) krzemowego n-p-n.
We wszystkich tranzystorach pb= 1.2 Ocm, WB = 18 pm.
Zadanie 3.40
W idealnym stopowym tranzystorze germanowym p-n-p Ndb = 6-1014 cm’3, Nac = 6-1018 cm'3, WB = 16 pm. Wykreślić zależność fa = f(UCB) w zakresie napięć 0 -r -10 V.
Zadanie 3.41
W ośmiu idealnych tranzystorach częstotliwość graniczna fa jest identyczna i wynosi 12 MHz, każdy z tych tranzystorów ma inną wartość a: 0.95; 0.96; 0.97; 0.98; 0.985; 0.99; 0.995; 0.998. Znaleźć częstotliwości fp oraz ft tych tranzystorów.
Zadanie 3.42
Obliczyć częstotliwość fT oraz współczynnik wzmocnienia prądowego p tranzystorów krzemowych n-p-n i p-n-p dla danych: grubość bazy WH = 10 pm, stałe dyfuzji Dp =