262 (45)

Tranzystor bipolarny

- 262

Na wartość składnika K decydujący wpływ ma stosunek N_AB/N_DE, przy czym jest pożądane, żeby N_A„ iV_de. Dlatego emiter jest bardzo silnie domieszkowany (N_DE a a 10²⁶ m^-3), a baza w obszarze sąsiadującym z z emiterem ma koncentrację domieszek kilka rzędów wartości mniejszą (N_AB ss 5- 10²³ m~³).

.Składniki K, L są tym mniejsze, im większa jest wartość współczynnika y. Ponieważ w typowym przypadku koncentracja domieszek maleje wzdłuż bazy (w przybliżeniu wykładniczo) od 5 • 10²³ do 5 ■ 1()²⁰ m^-3, zatem

,    5 • 10²³

W tranzystorach z jednorodną bazą y = 0, a ponieważ

1—e~'^J V U

= 1

widać zatem, że brak pola wbudowanego w bazie tych tranzystorów wpływa niekorzystnie na wartość współczynnika a„.

Dla tranzystorów germanowych z jednorodną bazą

— = 1

a_P

1

G,.A 411 6 B

(5.39)

Wyrażenie (5.39) jest najczęściej podawane w literaturze jako ogólnie słuszne dla tranzystorów bipolarnych, lecz trzeba pamiętać, że dla tranzystorów krzemowych dryftowych (czyli dla większości współczesnych tranzystorów bipolarnych) sprawność wstrzykiwania emitera jest określona bardziej złożoną zależnością (5.38).

Współczynnik transportu nośników w bazie

y-h =

Ic

JnB

(5.40)

Podzielmy licznik i mianownik tego wyrażenia przez Q_b — ładunek nośników nadmiarowych w bazie; a ponieważ iloraz ładunku i prądu ma wymiar czasu, zatem wprowadźmy oznaczenia:

II -O	(5.41a)
0,
^Tr 1 ^J rB	(5.41b)

Stąd zależność (5.40) przyjmuje postać

(5.42)

r,

= —tt-r_r+i_b

Wielkości t_b, z_r mają określony sens fizyczny. Gdyby nie było rekombinacji nośników' w bazie, wówczas prąd I_c spowodowałby w czasie t_h usunięcie całego