spektroskopia054

108

Liczba falowa [cm'¹]

Rys. 65. Widmo rozpraszania Ramana dla GaAs, otrzymanego metodą LEC, dla różnych długości fali światła pompującego. Widoczne jest wzmocnienie natężenia linii, w szczególności pochodzących od akceptorów C i Zn, gdy długość fali światła rozproszonego zbliża się do wartości odpowiadającej przerwie energetycznej GaAs w temperaturze 6 K (1,52 eV), a więc do warunków rezonansowego efektu Ramana [36]

Przykładem takiego zastosowania mogą być pomiary widm rozpraszania Ramana heterostruktury GaAs/Ge, gdzie grubość warstwy germanu zmienia się od 1 monowarstwy (ok. 3 A) do 125 mono warstw (ok. 350 A). Do pomiarów zastosowano linię lasera argonowego, od-

Rys. 66. Widma rozpraszania Ramana heterostruktur Ge/GaAs w temperaturze 300 K o orientacji (110) dla różnych grubości germanu, otrzymane w temperaturze

675 K [20]

powiadają energii 2,41 eV, która jest bliska wartości energii przejścia E₁ + A₁ w germanie. Wyniki pomiarów ilustruje rys. 66. Linia rozpraszania odpowiadająca poprzecznemu optycznemu fononowi w germanie staje się widoczna dla warstw nie cieńszej niż 6 nm. Początkowo linia ta jest bardzo poszerzona i przesunięta w kierunku niższych częstości z powodu niespełnienia zasady zachowania pędu dla bardzo cienkich warstw. Jednak już dla warstw o grubościach większych niż 25 nm linia staje się odpowiednio wąska i występuje dla częstości odpowiadającej dokładnie materiałowi litemu. W celu uzyskania warstwy o tak wysokiej jakości, jest wymagane utrzymanie podczas wzrostu odpowiedniej temperatury podłoża z GaAs.