Img00162

166

a dziury do półprzewodnika typu n. W poprzednio neutralnym obszarze typu p gromadzą się ładunki ujemne, w półprzewodniku typu n — ładunki dodatnie (rys. 3.19-1). Proces dyfuzji będzie trwały dopóty, dopóki nie ustali się równowaga, w której liczba przejść dyfuzyjnych jest samoczynnie ograniczona przez powstanie na złączu bariery potencjału od ładunku przestrzennego p_p, gromadzącego się po obu stronach złącza. Powstające lokalne pole elektryczne E , po osiągnięciu odpowiedniej wartości powoduje zahamowanie zjawiska dyfuzji.

W stanie równowagi poziomy Fermiego w obu częściach układu wyrównują się i energetyczny model pasmowy złącza p-n przyjmuje postać pokazaną na rys. 3.19-2.

typ p		typ n
n* = 10^16 cm'^3		n~ = 10^16 cm'^3
Z/////// w/?;yy,		A\W\V> W\\\v
n*		n~
n~		n*

b)

Rys. 3.19-2. Model pasmowy złącza p-n w stanie równowagi: 1 — pasmo przewód-Rys. 3.19-1. Złącze p-n: a) płytki półprzewod-    nictwa, 2 — pasmo walencyjne, d - gra-

ników przed zetknięciem; b) płytki po zetknię-    bóść warstwy przejściowej, A§_h — bariera-

ciu; c) rozkład ładunku przestrzennego    potencjału, p_F — poziom Fermiego