P1010017 (13)

J - sęatoóć pr«dui t - ładunek elektronu;

^vn^,wp " ^4rodnt# Pf«^d“oścł elektronów i dziur. Wprowadzając pojęclo ruchliwie! nośników zdcfmiononoj

■ZOfMl

>*-r • 1p

_k«p. «• S«r»*no /*„ • 3900 cw²/V» 1 u • 1900 ca²/Vs) otrzyeaey    ⁹

j •    . p^_p)E    (18.4)

gdzie E - natężenie przyłożonego polo elektrycznego. Porównując ostatni wzór z prawne Ohea

1 •«*

orrzysasy wyrażenie no przewodnictwo półprzewodników

6- o(n>i_n ♦ p>i_p)    (18.5)

giti* ^Ro “ i^{0al r dobr}Y» prryblłtenlee stola rezystancja zalet.

np od rodzaju półprzewodnika 1 jego nyftlar&r ;*eae -tryotnych (gdyż R . -L . i,_B - długość i pola przekroju fcryaztełu półprzewodnika). tog»rVt*^uJ8^c (W.S) obustronnie otrzyaujeey

lfl R ■ lg R_# ♦ 0,4343    |    (18.9)

o "^ł*^c    lfl * ■ f(|) Jaat prosta, a jej nachylenie ■»*>

Si 0,4343 -jj .

U w • 9 ⁸¹ Funkcja lfl * • f(J) otrzyaing z eksperymentu me Jaat prostoliniowa n całya zakresie stosowanych teaperotur. Warunek (18.9) Jest spełniony tylko dli wystarczająco wysokich teoperstur, ponieważ a do -świadczeniu użyto półprzewodnika dowiesz*swsaepo (n / p). a wysokich teaperaturaeh intemyansść ter-elcznej generacji nośników łsdunku (patrz rys.iB.*) oalffla tak dużę wydajność (jednocześnie nośników doaieazkowanych z tewperatur# me przebywa), ze półprzewodnik etsje slf sseoiscnyn.

T a b e 1 a 18.1

'Właściwości no cer ie łów półprzewodnikowych

Ponieważ dla pólprzswodników ooaolttnyeh oluozno Jest zolożność .10.2), o nlfC ookooy dlo nich napisać

(18.6)

(18.7) ₃dzie 6 asżnt traktować Jako stała niezależna od tooporotury.

V ćwiczeniu nyznaczaay przer-f energetyczna goroanu Z po -aiarÓK zależnodei rezystancji półprzewodnika saaoiatnago od ten. paratury. 3ek wynika za wzoru (18.7) zależność tę nożna zapisać

■ postaci

(18.8)