P1030354

288 M-Pokmrczyk. E.KIu_gmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE

MNOS są wykorzystywane zarówno tak jak tranzystory FAMOS, jak i w pamięciach nic ulotnych RAM (ang. NVRAM - nonvolatile RAM), które nie tracą informacji po zaniku napięcia zasilającego. Przykładem jest pamięć TMM142C firmy Toshiba, której podstawową komórką jest konwencjonalny przerzutnik R-S (ang. reset-set) wykonany z tranzystorów PMOS i dwóch tranzystorów MNOS (rys.6.63).

& MG	MNOS	If ^UDD P
►	-TM V r*j 1	◄
MG|		Tl
WY1 _i		WY2 ^Uss

Rys. 6.63. Schemat ideowy przerzutnika z pamięci TMM142C [J2]

6.2.3.5. Tranzystory cienkowarstwowe z amorficznego krzemu

Postęp w zakresie cienkowarstwowych tranzystorów MOS z amorficznego krzemu, dokonany m.in. w pracach LcComber’a i Spear’a [M3J, umożliwił już w 70-tycb latach podjęcie prac nad cickło-krysta licznym i clektro-optycznymi przetwornikami dla zastosowań telewizyjnych i komputerowych.

Płaskie ciekłokrystaliczne przetworniki alfanumeryczne znalazły duże zastosowanie w zegarkach i kalkulatorach. Hamulcem w produkcji ciekłokrystalicznych przetworników telewizyjnych jest konieczność stosowania małych przełączników elektronicznych do przełączania poszczególnych punktów świetlnych obrazu. W standardzie telewizyjnym posiadającym 625 linii obrazu, zakładając że w każdej linii powinno być 1000 rozróżniał-nycb punktów świetlnych, przetwornik syntetyzujący obraz monochromatyczny powinien mieć 625 tysięcy przełączników, a przetwornik kolorowy powinien mieć ich trzy razy więcej. Produkcja takich przetworników jest niezmiernie trudna. Pomimo to szereg firm wytwarza 3-, 4-, 5-, 10- i 14-calowe ciekłokrystaliczne przetworniki obrazowe, w tym kolorowe, zawierające milion cienkowarstwowych tranzystorów potowych z krzemu amorficznego.

W tranzystorach tych kanał wykonany jestz krzemu amorficznego, natomiast warstwa dielektryka izolującego bramkę od kanału wykonana jest z azotku krzemu (Si₃N₄).

Zadania kontrolne 6

6.1.    Określić typ tranzystora, jeśli do pracy tranzystora w obszarze aktywnym normalnym w połączeniu WE wymagane są napięcia: U_BE= 0,6 V; Uęg = 5 V. Wyznaczyć wartość napięcia U_EB oraz U_CB.

6.2.    Napięcia tranzystora pnp wynoszą: U_EB = 0,6 V; U_CB = -5 V. Podać napięcia wejściowe i wyjściowe tranzystora w układach WE i WC.

6.3.    Określić typ tranzystora i jego konfigurację, jeśli napięcia na jego wejściu i wyjściu

wynoszą:    = -5 V; U^y = -5,7 V.

6.4.    Z pomiarów tranzystora npn w układzie WE otrzymano: i) i_c= 0,4 |iA przy i_B= 0, b) i^= 400 pA przy i_B= 4 pA.

Obliczyć wartość współczynników a i p tego tranzystora.

6.5.    W układzie WB przez tranzystor pnp płyną prądy:

a) 1_E1= 0,4 pA przy I_B1= 0, b) I_E2= 8 mA przy Ig2= -79 pA.

Obliczyć wartość współczynników a_N i p_N oraz wartość natężenia prądu I_CB0 tego tranzystora.

Uwaga! 1) Przyjąć konwencję: Prądy wpływające do tranzystora są dodatnie.

2) Przyjąć a, < a_N i 0, « p_N.

6.6.0 ile zmieni się wartość napięcia przy I_B = 10 pA, gdy temperatura otoczenia tranzystora wzrośnie o 50°C ponad temperaturę pokojową?

6.7.    Obliczyć przyrost napięcia na złączu ba za-cm i ter tranzystora npn pracującego w obszarze aktywnym normalnym w temperaturze T = 300K, gdy natężenie prądu bazy dwukrotnie wzrośnie.

6.8.    Obliczyć przyrost napięcia U_BE, jaki nastąpi w temperaturze otoczenia T_a = S0°C, gdy napięcie wzrośnie od 5 V do 15 V przy stałym prądzie kolektora,

Iq = 10 mA, w tranzystorze o następujących dopuszczalnych parametrach katalogowych: P^ = 300 mW,T_jn)llx= 175°C.

6.9.    Z pomiarów tranzystora npn w układach z rys. 1 otrzymano:

-    w układzie a) Iq= 1,40 mA przy 1_B1= 10 pA,

-    w układzie b) I_E2= 300 pA przy Iq7^s 100 pA.

Przyjmując E = 5 V oraz T= 300 K, obliczyć wartość współczynników p_N i Pj.

Rys. l