236 M.Polowczyk. E.KIugmann - PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE
6.lJ. Właściwości dynamiczne wielkosygnałowe tranzystora bipolarnego
Przy pobudzeniu tranzystora dużymi sygnałami, których wartość chwilowa zmienia się z dużą prędkością, konieczne jest uwzględnienie pojemności złączy i indukcyjności doprowadzeń tranzystora. Przy ekstremalnie dużych prędkościach zmian pobudzeń tranzystor powinien być rozpatrywany jako obwód o stałych rozłożonych. Jest to niezbędne wówczas, gdy okres składowych widma pobudzeń jest zbliżony lub mniejszy od czasu propagacji nośników przez tranzystor, na przykład przy pobudzeniach impulsowych o czasach narastaniu lub opadania impulsów o wartości kilku nanosekund oraz przy pobudzeniach ze składową harmoniczną o częstotliwościach zbliożonych do górnego skraju pasma UHF i częstotliwościach wyższych (GHz).
W niniejszem opisie pominiemy przypadek ekstremalnie dużych prędkości zmian pobudzeń jako zagadnienie specjalne, mające ograniczone znaczenie i wymagające specjalnego podejścia. W rozważaniach pominiemy również indukcyjności doprowadzeń, które przy prawidłowym wykorzystaniu tranzystora mogą być zwykle zminimalizowane do wartości kilku nanohenrów, przy której reaktancja indukcyjna doprowadzeń jest zazwyczaj pomijalna w stosunku do rezystancji szeregowej (rgg., rgg> lub rcc-), nawet przy częstotliwości 1GHz. Jest ona również pomijalna w układach scalonych.
Przy takich założeniach ograniczających, właściwości dynamiczne wielkosygnałowe tranzystora odzwierciedla wystarczająco model, będący zestawem modelu stałoprądowe-go i pojemności dyfuzyjnych oraz barierowych złączy tranzystora (rys.6.22).
B*
_n^e |
_U-Cic |
Model
■tałoprądowy
Ebersa-Molla
Rys. 622. Wielkosygnałowy model dynamiczny tranzystora bipolarnego; C^g, Cjc - pojemności dyfuzyjne złącza emiterowego i kolektorowego, CJ*Cjc - pojemności barierowe złącza emiletowego i kolektorowego
Pojemności barierowe złączy mają wartości zależne od napięcia zewnętrznego danego złącza, zgodne z wzorem (2.48), w którym:
- dla złącza emiterowego m = mE = 1/2, C:0 = Cgg, u = ube» ^j = YjE»
- dla złącza kolektorowego m = mc = 1/3, Gj0 = Cjq), u = uBC, Vj = VjC.
Pojemności dyfu/yj nc mają również wartości zależne od napięć zewnętrznych złączy (patrz wzór 2.6la). Przy tym zależności te są w takiej postaci, że pojemności dyfuzyjne można traktować jako wprost proporcjonalne do odpowiednich prądów dyfuzyjnych (patrz wzór (2.61 b):
~ IdE * ttN
gdńe: czas transportu normalnego (od emitera do kolektora) nośników wstrzykiwanych z emitera do bazy
lub inaczej - czas przelotu od emitera do kolektora, t(| - czas transportu inwersyjnego (od kolektora do emitera) nośników wstrzykiwanych z kolektora do bazy lub inaczej - czas przelotu od kolektora do emitera.
Czasy transportu (przelotu) t,N, t,j można określać z wartości prądów Iloraz Idc
Qn
'mh (<ł58)
gdzie: QN - ładunek nośników, których przepływ tworzy część prądu kolektora równą ou -1_
Q| - ładunek nośników, których przepływ tworzy część prądu emitera równą a, ■
Pojemności dyfuzyjne przejawiają się jako zmiany ładunków i Qj, powodowane zmianami napięć zewnętrznych złączy tranzystora:
r <*QN
CdE = d^ (*•«>)
dQ,
Ładunki QN i Qj stosuje się również jako elementy bazowe w tzw. modelach ładunkowych tranzystora.
W modelach ładunkowych poszczególne prądy tranzystora pizedstawia się jako źródła prądowe sterowane ładunkami, w tym prądy określone przez modele stałoprądowe przedstawia się następująco: