41533 Img00161

165

wydajności świetlnej, barwy lub czasu poświaty. Jako aktywatorów używa się zwykle manganu, żelaza, srebra, niekiedy chromu lub toru.

W nowoczesnej technice świetlnej jako luminoforu używa się mieszaniny zawierającej: kwaśny fosforan wapnia (CaHP0₄), węglan wapnia (CaC0₃), węglan manganu (MnC0₃), fluorek wapnia (CaF₂), trójtlenek antymonu (Sb₂0₃), chlorek amonu (NH₄C1).

Dyfuzja i ruchliwość nośników

3.18. Nośniki ładunku elektrycznego mogą poruszać się w półprzewodniku nie tylko wskutek doprowadzenia pola elektrycznego, ale i w jego nieobecności dzięki zjawisku dyfuzji. Gęstość prądu dyfuzyjnego jest proporcjonalna do gradientu koncentracji nośników oraz do współczynnika dyfuzji D

(3.18-1)

(3.18-2)

h~-^eDpf_x

Współczynniki dyfuzji elektronów D_n i dziur D_p wynoszą dla germanu odpowiednio: 93 cm²/s i 44 cm²/s, a dla krzemu: 38 cm²/s i 13 cm²/s.

Między ruchliwością u nośników a ich współczynnikiem dyfuzji D, zachodzi zależność (tzw. zależność Einsteina)

(3.18-3)

Złącze p-n

3.19. Podstawową częścią aktywnych przyrządów półprzewodnikowych jest złącze p-n. Stykające się z sobą dwa obszary półprzewodników domieszkowych, jeden typu n, drugi typu p, oddzielone są bardzo cienką warstwą przejściową zwaną złączem p-n. Jej typowa grubość wynosi ok. 10~⁴ cm. Jeśli wspomniane obszary uzyskane są z tego samego półprzewodnika przez odpowiednie jego domieszkowanie, mamy do czynienia z homozłączem p-n. Złącze p-n wykonane z dwóch różnych półprzewodników nazywa się heterozłączem p-n.

Najbardziej istotną cechą złącza jest tworzenie się w nim warstwy zaporowej, charakteryzującej się jednokierunkowym przewodnictwem elektrycznym.

W półprzewodniku typu p istnieją swobodne ładunki dodatnie (dziury), w półprzewodniku typu n — swobodne ładunki ujemne (elektrony). Gdy półprzewodniki te stykają się, to nośniki ładunków, zgodnie z prawem dyfuzji, dyfundują do obszarów o mniejszej ich koncentracji — elektrony przechodzą do półprzewodnika typu p,