42288 skrypt144

147

Zmiany koncentracji nośników domieszkowanych powodują zmiany w konduktywności półprzewodnika (rys. 8.14.)

147

Rys. 8.14. Zależność konduktywności półprzewodników domieszkowanych w funkcji temperatury (N_DI < N_D2 < N_D.,)

©zważając konduktywność półprzewodników w zakresie (I), gdzie dominuje ncentracja nośników generowanych domieszkami, możemy jej zmiany ująć leżnością:

(8.17)

W

C = Acxp (---)

kT

gdzie:

A

W

-    stała,

-    energia aktywacji.

tomiast temperaturowy współczynnik rezystywności jest równy:

«T =

1 dp

p dT T

(8.18)

jest stały- i rośnie z kwadratem temperatury, a także zmienia się / energią tywacji (b~W).

Rezystywność półprzewodników zależy od oświetlenia strumieniem foto-^rw. Dostarczona przez foton energia hv uwalnia nośniki ładunków, których entracja rośnie. Powoduje to w zrost przewoduictwa.

(8.19)

Aa = c g (t„ p_n+T_p u )

■ ■I