Img00164

168

mieszcząc się wewnątrz półprzewodnika dzięki dyfuzji. Współczynniki dyfuzji rządzące takim ruchem wzrastają bardzo silnie ze wzrostem temperatury. Dlatego pożądany rozkład domieszki można uzyskać, podnosząc temperaturę półprzewodnika 1 do około 1000°C na kilkadziesiąt minut. Po obniżeniu temperatury współczynnik ' dyfuzji zmniejsza się i atomy domieszki zostają unieruchomione, jak gdyby „zamrożone” w siatce krystalicznej półprzewodnika.

Na rysunku 3.21-1 pokazano przebieg procesu dyfuzji domieszek donorowych I w głąb półprzewodnika typu p z naparowanej na jego powierzchni warstwy. Proces zależy od temperatury T i czasu t. Złącze p-n powstaje na głębokości (dla krótszego czasu trwania dyfuzji t_{) lub x₂ (dla czasu dłuższego t₂).

Rys. 3.21 — 1. Wytwarzanie złącza p-n za pomocą dyfuzji domieszki donorowej do półprzewodnika typu p: I — półprzewodnik typu p, 2 — naparowana na powierzchni półprzewodnika warstwa domieszki donorowej

3.2. ZASTOSOWANIE PÓŁPRZEWODNIKÓW

3.22.    W zastosowaniach półprzewodników należy wyraźnie odróżnić przyrządy i elementy półprzewodnikowe złączowe, których działanie jest oparte na złączach p-n, od objętościowych, pracujących bez złączy p-n — materiał półprzewodnikowy jest w nich jednorodnie domieszkowany lub nie domieszkowany wcale.

Diody półprzewodnikowe

3.23.    Najprostrzym elementem złączowym półprzewodnikowym jest dioda półprzewodnikowa, stanowiąca złącza p-n zamknięte zwykle w obudowie, często całoszklanej