14

14



6. lnstrukgc logiczne 69

6. lnstrukgc logiczne 69

SWAP A


Swap Accumulator Nibblęs

Działanie:


A7..4 « a3..0

Adresowanie.


Mnemonik:


Struktura ba/tów:


Cykle    Znacz

maszynowe:    niki:


rejestrowe


SWAP A


I 1 1 0 0 | 0 1 0 0


1


Opis działania:

Wzajemna wymiana czterech bardziej znaczących bitów akumulatora A7..4 z czterema mniej znaczącymi bitami akumulatora A3 .q. Sytuację tę przedstawiono na rysunku:

A7..4 AJ..o


Przykład:

Instrukqa SWAP A jest równoważna 4 instrukcjom RL A lub RR A.

Przestawianie cyfr w

1-bajtowej liczbie zapisanej

wewnętrznej pamięd

RAM 0 adresie adr:

Swap Bcd:

MOV

A,adr

;A c= (adr), np.

SWAP

A

;a7..4 a3..0

MOV

adr.A

;(adr) c= A

lub

RR.Bcd:

MOV

A,adr

;A c= (adr), np.

RR

A

przesuwanie

RR

A

;akumulatora

RR

A

;w prawo

RR

A

.cztery razy

MOV

adr.A

;(adr) <= A

... • V-

Ir) = 69H A-96H

A = 0B4H » 1011 0100B A = 5AH = 0101 1010B A*2DH = 00101101B A ■ 96H = 1001 011 OB


0110 1001B 1001 0110B

Mikrokontroler 80(C)5I - programowanie

Przykład:

*V\


Zachowanie na stosie zawartości rejestru R2 w trzecim banku (RB3) * adres 13H. komórki wewnętrznej pamięci RAM o adresie 34H i zawartości portu PI:

Push_R2_Adr_Pl:

MOV

SP,#3FH

;SP <= 3FH,

; stosem jest wewnętrzna pamięć RAM

; adresowana pośrednio, pierwsza wolna ; ' komórka stosu ma adres 80H *

PUSH

13H

;SP <= SP +1 = 40H, (SP) c= (13H), adresowanie ; rejestrów tylko przez bezpośrednie adresy

. PUSH

34H

;SP<= SP + 1 = 41H. (SP) <= (34)

PUSH

PI

;SP<= SP + 1 = 42H, (SP) «=(P1)» (80H),

i r ;

; w miejsce symbolu Pl asembler podstawia

adres 80H

POP adr    Pop Direct from Stack

Działanie .    (adr) c= (SP)

SP <= SP • 1

Adrcscnoanic Mnemonik:    Struktura bajtów:    Cykle    Znacz

_ maszynowe:    mki:

bezpośrednie:    POP adr    | 1    1    0 1 | 0 0 0 | 0 |    2

1 ,    1    I

’) Znaczniki nie są zmieniane z wyjątkiem instrukcji modyfikującej akumulator A i rejestr stanu procesora (PS W), np. POP PS W.

Opis działania:

Przesianie zawartości komórki wewnętrznej pamięci RAM adresowanej wskaźnikiem stosu (SP, adresowanie pośrednie) do komórki wewnętrznej pamięci RAM o podanym w drugim bajcie instrukcji adresie adr (adresowanie bezpośrednie). Zmniejszenie wskaźnika stosu (SP) o jeden.

Przykład:

Jeśli wskaźnik stosu SP - 82H i w komórkach pamięci RAM adresowanej pośrednio o adresach 80..82H zawarte są wartości: 12H, 34H, 56H to wykonanie programu:

MikroŁnnłfol<*r 9fvrn<i


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
14 6. Instrukcje logiczne 69 SWAP A Swap Accumulator Nibblęs Działanie:A7..4 o A3..0 Adresowanie
14 6. Instrukcie logiczne 59 iloczyn przesyłany jest do akumulatora (A), • komórki wewnętrznej pami
14 2 ŚWIADOMOŚĆ 106 może wywierać warunkujący wpływ na nasze świadome myślenie i działanie. Duchowa
14 59 6. InstAjkge logiczne iloczyn przesyłany jest do akumulatora (A), • komórki wewnętrznej pamię
16 6 Instrukcje logiczne 57 W akumulatorze znajduje się wartość 40H»*64D. a nie poprawna wartość 0C
18 6, Instrukcje logiczne 57 W akumulatorze znajduje się wartość 40H=+64D, a nu.* poprawna wartość
16 6 Instrukcje logiczne 57 W akumulatorze znajduje się wartość 40H«*64D. a nie poprawna wartość 0C
18 6 Instrukcje logiczne 65 6 Instrukcje logiczne 65 Ncg_2_ Liczba: MOV R0,IM8H MOV R3,#2 Pla
18 6 Instrukcje logiczne 65 6 Instrukcje logiczne
10 6. Instrukcje logiczne 63 wynik operacji przesyłany jest do akumulatora (A). • komórki wewnętrzn
10 6. Instrukcję logiczne 63 wynik operacji przesyłany jest do akumulatora (A). • komórki wewnętrzn
12 o Instrukcje logiczni 61 wynik operacji przesyłany jest do akumulatora, • komórki wewnętrznej pa

więcej podobnych podstron