22774 Obraz (5)

Typ n

T= O    T >0

	i .^7! PUSTE U ■ „i PO/IDń?	. & .
	-~t ^c;\
	ZiPEU«.tlE
	•*•?•••••-•. .;!

Półprzewodnik domieszkowy typa n

	PUSTE
......	rn/T-ra	. o
■®8#' :

P4!|.<U4vm!nik drHmefczkuwimy !>;jn p

« ®
	o Własności materiałów półprsswodnilcowych
		German	Krzem	Gafts	Diament
	Pasmo zabr,	0.66	1.12	1.43	5.47 eV
	Oporność		2.3	10'	10^3 fi.cm
	Stała diel.		11.0	12.5	5.7
	Mobilność e		1500	8500	2200 cmWs
	Mobilność h		600	400	1600 cmWs
	Wspełcz, rozsz.		7.3	5.9	0.8 10^ JK
	Prze w, tern?.		1.4	0.46	20 W/emK
	25

Hodsj rnziertsb	Nszsn m sterta b	Tłmp. topnienia C	Mz**. temp. prze-- C	Rozyityrmoic en	TrrenlKsmonr- elektryczna wćgi.
Ge	German	936	122	• 0.6	15
Si	Krzem	.1433	247	..2xiĆK"	118
IhP	Fosforek indu			-	io,e
InAs .	Arsenek indu	'• -93S.	•73 -	2x10°	... 15 ■
lnśb>;	Aró/mó bek indu	523	: -193	18x10 =	-19,8
GaF	• : Fosforek galu				8.4
G afts ^;	Arsenek galu	1230	447		13,6 ’
GsSn :	Antymoriekgsiu				152

Typ p

3 UJ .W UJ B	a o o . ^
E S !±J lii. j£j,:	**© O ;*}
3 3 uiijJlń
3 E E E

Złącze £3r ostujące

eleisrcnowTj

0BqS
•3S3E atiWE
ES i-	3

Ą. hj (3 Q a ^ gś o <3.3 ^ _Łi i E-z £]e ęe * a 0 0 ŚS gk-P'•'> & .-. sgjs ^s ~a '--'

m t
	fvfe?sris5		Urządreri e	Zastosowane
	Ó5*3/>!C'5S5		Detektory, diody podrasuje ni LEP y i lasery	Ped^otoiki energii ^rteczrisj;; :-/ńa^rrr.- kc-rT-:r~-sąf f"-‘i3fe'--'d:".5'. !«z!Tt3 cnis ora db razu. W
	JnP/foP ■ "		. Bateria słoneczne	K-5i7-'i':sne baterie słoneczne
	lnp ?JnOaSs		Diody pódijzamita-ŁEDy. laser?-( i -1,67 pm)	Svst=my komuń?-^® lokalne sieci
	ihGaftłGsZ fnOaAs		P etektory (1.87 -2.4 pm)	Zastosowania'Mojdcowe. medycyna czujniki
	SiC		Niebiedne L£D'y	ifryświełtacze. d>'dd parni* d optyroiej
	CdTe/HgCtfTś		Dstekióty podcseiweni 0 -Sjan . 18-12 urn)	Obtazy podczerdeni. ukJady napra-Ttadzania takie?.
	ZńSe/Żto		■ Diody t^dzia kie LED^vs' \	Zastoso-oonia komercyjne
	Si ...		Pątaktóry, baterie sJonaorne	Ffzetsor.Y''; erisr^i słone'rznai. z&aamtkeJkuJatory
		2 Q