53
54
lVig.ędAl*Jcvr
T-T.
(IB.Sł
W* *
CS ,2
- -2.3 -V/X
OS. 6)
■”T
oraz prryJ«*Jv U^OOO O • 0.7 V. olrzyacjeuy IC1(300 KI - 5.2 a4. U^OOO KI - 3.7 V; lc,<270 K» • 3.4 mk. 11^(270 *> - «.» V.
Prjyjnuj4= blpet«tyra>le. Z* tranzystor T2 nl« Jest nnuycooy. aozaay Odpisać
V-4’0*' -iW-
(18.1) (IB.2)
(16.3)
(16.4)
(16 71
UCQ " UCC ‘ !C2ł W Poda lawlaj^c wartottci liczbowe otrzya-jjeay
1^(300 Ił - 10.6 ■*, U^OOO C) - 2.6 V;
1Q(270 KI - 18.6 aA (71. 1^(270 C) - -4.6 V (7).
Clr-rymna dla temperatury 270 K narto*; 11^ wszaruj* na nasycenie tranzystora I Jeut oczywiści* Dlepoprawra (Bowlra w nasycanie nie zachodzi wykorzystywana w obliczeniach zalozzotc. * J^ł. V rzecrywlatoecl napięcie będzie
wynosić ok 0.2 ... 0.4V (napięcia nasycenia}, e pr^d »zy 1K będzie na tyle duży. Je spowoduje zanlojiunlc napięcia UC).
Odpe wledZ 18
ej • 800 0; 0^ - 4.5 Yj tranzystor pracuj* w obalana nasycania, bl Rg - 320 £Ł tljjg - 6,2 Y.- tranzystor pracuje w obsiana nasycania
Hozwlęzanl* I0«
Posługując Się przytoozonya w zadaniu rOutianlea wyznaczają
«u*. P.14.1
Ponlowat prąd upływu hraażl Jeat rzędu n/. napięcie U,. • lęRę będzie czyli pr-uktytranlo Uc * 0. Zatea
- 800 2
rzędu aV.
(16.8) 1 Ib.8)
yos - uco -
(16 7)