46107 nxfqw1

4. Wyznacz prąd |₍ oraz napięcia lf₍, iranzyuora krzemowego w układm na rys. obok, dla różnych wartości napięcia (Jm (przyjmij wartość \v*p. wzmocnienia prądowego a - 0.995) a) U_m,-6.7V (2+2 pkt,), b) Ua»i~4V (2+2 pkt.).

c)    Oblicz wartość napięcia IW dla którego punki pracy tranzystora rnatduje

się na granicy zakresów nasycenia i aktywnego (U_c*-0) (2 pKt.) Podaj wartość prądu l_u, która odpowiada temu napięciu 7 (2 pkt.)

d)    Wyjaśnij jak działa mrrhani/m •tablllzaejl punktu pracy w tym układzie w przypadku rosnącej temperatury otoczenia (2 pkt)

e) 0 ile zmieni się napięcie Uar gdy temperatura wzrośnie o KTC (2 pkt 1
•)	Wzór zastosowany do obliczeń	Wartość	Punktacja
la*
Kczi ■			----------
b)	Wzór zastosowany do obliczeń (lub krótki Komentarz)	Wartość	Punktacja
la“
Ucn-
c)	Wzór zastosowany do obliczeń	Wartość	Punktacja
l»-
tiaiu =

--1

dhe)

Punktacja:

5. W rubrykach obok dla tranzystora JFET z kanałem typu P. o napięciu |U_CI=2V narysuj:

1)    symbol graflezny (oznacz jego końcówki, zastrzalkuj prąd lb>0 i napięcia Ud, U_Ds). Określ wartość napięcia U_p. (2pkt+l pkt),

2)    ch-kę przejściową (opisz osie i zaznacz charakterystyczne punkty wykresu, w tym także punkt odpowiadający napięciu U_C$"U_P) • 2 pkt.

2) Ch-ka przejściowa:

Punkta

cja

6. Wyznacz transkonduktancję tranzystora unipolarnego MOS z indukowanym kanałem typu N w punkcie pracy l*"5«A , 1UdsH5V. |U_CS|-2,5V, |U_P|-2V (2 pkt.). Określ prawidłowe wartości napięć U_cs i U, (- f*« ^v    •^anost

współczynnika K (2 pkt.). Zaproponuj rezystancje R₀ i R_s w układzie aby otrzymać wskazany punkt pracy (4 pkt l £*pt*z odpowiedni warunek i dokonaj sprawdzenia w jakim zakresie pracuje tranzystor (2 pkt).

7. ajWyjaśnij znaczenie skrótów: MEMS, IGBT (2 pkt.). b) Wyjaśnij zasadę działania diody LED i fotodiody (2 pkt-2 pkt i