PEIE cw0 2 pomoc #5

10

I

II

ty mar*.

prnAttK pn ohlac/*f*u obwodów ctrklr\cznyvh. w których występują

5J 2*ócnmc rontnrji od temperatury

fer.ia^i., pryewodad&w otóeou y.ę u zależności ad temperatury. Ze wzrostem temperatury m nwnęa przrw hila HKtalowydL zgodnie ze wzorem:

fi = A2D[l+a(S-20)l R -rmsaa^iwimpcnttR# <9.0,

l»*rc|ittKp w temperaturze 20*C, O.

«? - iempcratsra. X’.

• *kapmfem w^pófczwmA rc/y*ur*jt. 1'dcg «»tpita.iii ii a a db temperatury *9 =20' C podano w tablicy 5.1.

Z^mydm pnr.-m remtaaęp przy wzroście temperatury jest wykorzystywane w elektrolecłmicc. np. do temperatury iirwyeA lilaków (uh prądnic elektrycznych w w)nikii zmierzenia przyrostu ich «i3^auatp Również a tmarmetrach oporowych wyznacza się temperaturę na podstawie zmian rezystancji eagnia.CisMMfoMtoego» miejscu, w którym ma hyc dokonany pomiar temperatury .

k ELEMENTY REZYSTANCYJNE

(5.3.)

pter

ILI Grsrpńfcj

llakiwaić pf7*munv u rezystorze doprowadzonej do niego energii elektrycznej w energię <h|b| atlnra^t we w rezYstancyjnych elementach grzejnych. Z tych elementów zbudowane są dim» MtĘdsmm grzejne stosowane w gospodarstwach domowych (Żelazka, grzałki, kuchenki ^r-.7«c *p ) luh prrasty ile (piece elektryczne). Termiczne działanie prądu elektrycznego jest również h hhsT U w czujników himetalów \ch-c/knsów wvkonawc7.vch regulatorów temperatury.

il Temśitory, (otomyUory

ktfttdwi rciy&wow mehmowyyh cą Irrniisfury. których rezystancja silnie zależy od Mpa*nr% Jemrmar, &1H1 %ię na tonmtfory NTC (ujemny współczynnik temperaturowy) i termistory ^Tr (dśjgbd męrtttmMk. temperaturowy) Rezystancja termistorów t>pu NTC silnie się zmmejV.a ze •*/*— Kmpntfmy, za' typu FTC winie się iwiękaz* ze wzrostem temperatury. Powyższe właściwości # wykorryekim Umwlarów do budowy czujników temperatury. termometrów i ur2ąd/eń •¥gHhaao ;**«& «mtf w ^Jadach elektroniki • do kompensacji wpływu zmian temperatury Cbnafcknw^k/oapwuMrtao-ptfądpwetciiwtictfow iąprzedstawione nary* 3.4. i61

hŚĘgm / dnirala» półprzewodnikowych reagującym m promieniowanie świetlne, jest falai iiyftar. Nnahi« ftb>nó( wsyrfwę półprzewodnika o rezystancji zaUistąj od wart nici strumienia Maadhwgn 0 Rorfcfeaafc* Momfeów Ładunków elektrycznych w warstwi* półprzewodnika dteydutjc o nr rumor; Mes r<ao$e w nary pochłaniam* kwantów protmentowama Fotorezysłor pomada

i oawitfiłeftfmYą

3

Rys. 6.1. Charakterystyka prądowo-naptęcsowa:

1 - terminom PTC •; 2 - rezystora Imtowego • PTC - skrót od Postów Temperaturo Coctlkacat (dodatni współczynnik temperaturowy)

ó. J. Rezystory Jako elementy układów regulacji prądu i napięcia

Rezystory o zmiennej wartość; rezystancji mogą spełniać w obwodach elektrycznych rob regulatorów prądu lub napięcia. Rezystory przeznaczone do regulacji prądu noszą nazwę rezystorów nastawnych. Do nich zaliczamy, przede wszystkim, rezystory dekadowe i suwakowe. Rezystory prmaaooc do regulacji napięcia nazywamy potencjometrami. Na rys. 6.2. i 6.3. są przekuwiooe proste układy regulacji prądu i napięcia

Rys. 6.2. Układ regulacji prądu

Rys. 6.3. Uktad regulacji napięcia

7. METODY POMIARU REZYSTANCJI

Pomiaru rezy\uncji można dokonać następującymi metodami;

•    przy pomocy metod bezpośrednich.

•    przy pomocy metod pośrednich

Pr/y u/yciu metody bezpośredniej wynik pomiaru otrzymuje uę po wykfmam poemiru tytko gagn wiałkotci lirycznej W przypadku metody pośredniej dokonujemy pomiary dwóch łub więcej eicfluań łizycznych. powiązanych zależnościami funkcjonalnymi z wielkością szukaną, która jest oclem pomiaru..*■ Pomiaru be/pośredniego rezystancji dokonuje się za pomocą przyrządu, zwanego omomierzem. HKże tego typu pomiary >ą mało dokładne i mają znaczenie ortamacyjne Pomiary dokładniejsze wykonuje nę . metodfim pośrednimi, i których najczęściej stosuje się metody łpchmczne i metody inkom.

fj 7.1. Pomiar rezystancji metodą techniczną

Pomiaru rezystancji metodą techniczną dokonujemy za pomocą JmraH i Rozróżniamy dwa okłady pomiarowe;

«} układ i poprawnie min zonynt napięciem (pomiar rezystancji ndpk) b) układ t poprawnie mierzonym prądem (pomiar rezysUmąt dużych).    •

I k.Udy powyższe są przedstawione na rya. 7.1. i 7.2.    ilflBiH

■ H

8