244 (53)

- 244

Tranzystor bipolarny

Sterowane źródło prądowe-tranzystor

^c)

N P N

U₂

,/

\u_f^m\> \ti*\>\v'_t\

U,

Rys. 5.5

Szkic kolejnych faz rozumowania prowadzącego do utworzenia tranzystora kuje dziury do obszaru N, skąd są one odbierane przez drugie złącze spolar; wane w kierunku zaporowym. Oczywiście źródła polaryzujące oba złącza miałyb. odwrotną biegunowość niż w przypadku struktury n-p-n. Trzy kolejne warst tranzystora n-p-n lub p-n-p są nazywane zgodnie z ich funkcjami:

—    emiter (pierwsza w arstwa, która dostarcza nośników mniejszościowych do drugiej warstwy);

—    baza (druga warstwa);

—    kolektor (warstwa zbierająca nośniki wstrzykiwano z emitera do bazy).

Na rysunku 0.6 przedstawiono obie struktury tranzystora bipolarnego wraz z symbol tych tranzystorów'. Symbole są kreślone z zachowaniem tej zasady, że strza oznaczająca emiter ma zwrot zgodny z kierunkiem przepływu prądu we konwencji przyjętej w elektrotechnice (od plusa do minusa). Jest to zwrot zgod ny z kierunkiem przepływu ładunków' dodatnich (dziur), a przeciwny do kier przepływu ładunków ujemnych (elektronów').