259

$5

L¹ %

mW

odwrotnie, nawet gdy (AEq — AE) jest większa od 2 kT, to stosunek —

* %o.

*****

elektro.

^rzystym

jest niewielki, gdyż pierwszy czynnik, tzn.

N

ma znaczenie decydujące.

^ywacji,

*dnictwa

dnictwa.

tośników

stycznych

donorową

domieszki

Pierwiastki z trzeciej grupy układu okresowego stosowane jako domieszki akceptorowe (bor, glin, gal, ind) charakteryzują się trzema elektronami walencyjnymi, brak jest zatem jednego elektronu do utworzenia wiązania, w związku z czym wiązanie jest niewysycone. W wyniku niewysy-cenia wiązań, w paśmie podstawowym półprzewodnika powstają obszary o nie zrównoważonym ładunku dodatnim, które odgrywają rolę nośników typu p.

Rozkład pasm energektycznych dla półprzewodników z domieszką akceptorową jest przedstawiony na rysunku 5.31.

W praktyce stosuje się oba rodzaje domieszek, tzn. donorowe lub akceptorowe, w celu maksymalnego zwiększenia elektrycznego przewodnictwa właści

(5.97)

ski,

szki

od P^a‘

wego.

Swobodne nośniki prądu w półprzewodnikach, tzn. elektrony w paśmie przewodnictwa i dziury w paśmie podstawowym, mogą się poruszać pod wpływem zewnętrznego pola elektrycznego. Prędkość, jaką uzyskują nośniki prądu pod wpływem takiego pola jest wprost proporcjonalna do natężenia tego pola.

gdzie:

v_n i v_p - średnie prędkości nośników danego rodzaju w kierunku pola E.

i Mp - ruchliwość nośników ładunku, czyli prędkość, jaką uzyskuje nośnik pod wpływem pola elektrycznego o jednostkowym natężeniu.

Zjawisko fizyczne zachodzące na złączu p—n. Złączem p—n nazywa się obszar półprzewodnika, w której można wyróżnić dwa sąsiadujące ob-szary, przy czym jeden z nich jest typu p, a drugi typu n (rys. 5.32). Na granicy styku powstaje warstwa przejściowa, grubości kilku mikrometrów, charakteryzująca się dużym gradientem koncentracji nośników. Elektrony