263 (39)

- 263

Współczynnik wzmocnienia prądowego

ładunku Q_b zmagazynowanego w bazie. Oczywiście w stanie ustalonym na miejsce ładunku usuwanego do kolektora wpływa taki sam ładunek z emitera i stan „naładowania” bazy nie ulega zmianie. Zatem wielkość t_h jest to czas przelotu nośników przez bazę. Wyobraźmy sobie teraz inną 83'tuację. Niech w bazie będzie pewien ładunek Q_b i zostaje przerwany przepływ prądów    czyli nie

ma wymiany ładunku bazy z warstwami kolektora i emitera. Wówczas ładunek Q_b maleje w funkcji czasu wskutek rekombinacji nośników (w stanie ustalonym przy I_c = 0, dla podtrzymania stałej wartości ładunku w bazie, Q_b — const, jest konieczny przepływ odpowiedniego prądu rekombinacji bazy — l_rB). Wielkość T_r jest stałą czasową tego procesu, czyli jest to po prostu czas życia nośników (przeważnie r, — 10~⁶...10“⁹ s). W każdym tranzystorze t_b Ą x_r, czyli współczynnik v._b przyjmuje wartości bardzo bliskie jedności, lecz zawsze < 1. Jeżeli przykładowo przelot nośników przez bazę jest sto razy szybszy niż ich rekombinacja (t_b = 0,01 r_P), to na 100 elektronów wstrzykniętych z emitera do bazy (prąd I_nE) 99 dotrze do kolektora (prąd I_c), a jeden zrekombinuje w bazie z dziurą (prąd I_rB).

Czas T_r jest parametrem materiałowym, czas t_b natomiast zależy od konstrukcji tranzystora, co można w przybliżeniu wyrazić prostymi związkami. Można wyjść z zależności (5.41a) lub po prostu obliczać czas jako iloraz drogi i prędkości nośników

fh —

W„

Jeżeli uwzględni się tylko unoszenie (idealizacja tranzystora dryftowego), to

v = y„E_wh

a więc na podstawie (5.19) (znak — ” nie ma tu żadnego znaczenia, gdyż rozpatruje się wielkości skalarne)

U =

Wi_

(5.43)

Podstawiając (5.43) do (5.42) oraz biorąc pod uwagę, że droga dyfuzji L = = ]/I)_n r_r, można napisać

1

1 + -

V \

¹ / W* \² ' L

J_/5„\²

~ y\L

(5.44)

Jeżeli uwzględni się tylko dyfuzję (tranzystor bezdryftowy), to na podstawie (5.26): W

Qb = <in_h{0)    (pole trójkąta)

«„(0)

W_B

dx ¹ "

Stąd

th —

Q_b _ Wi

L 2D.

(5.45)