264 (44)

- 264

Tranzystor bipolarny

Podstawiając (5.45) do (5.42) otrzymuje się

(5.46)

Dokładniejszo wyrażenia na współczynnik a_b w tranzystorze dryftowym (przy uwzględnieniu dryftu i dyfuzji) można otrzymać całkując ładunek nośników nadmiarowych w bazio i obliczając prąd na podstawie rozkładu koncentracji, określonego zależnością (5.31):

(5.47)

Wg y—l+e ⁿ

D„ rf

a b

(W_B\² y-l+e-"

\Lj y²

(5.48)

Porównanie wzorów⁷ (5.46) z (5.44) lub (5.48) umożliwia stwierdzenie, że współczynnik oc₆ ma większą wartość w tranzystorze dryftowym.

Na zakończenie togo tematu warto przytoczyć zależność współczynnika wzmocnienia prądowego v._N od prądu emitera (rys. 5.21). Początkowy w zrost współczynnika są

Rys. 6.21

Zależność współczynnika wzmocnienia prądowego od prądu emitra: a) a_N(I_E); b) fl_b(Ie)

jest związany z coraz lepszą sprawnością wstrzykiwania emitera w miarę zwięk-1 szania prądu emitera, co dyskutowaliśmy już wcześniej. Wzmocnienie maleje I w zakresie dużych prądów emitera wskutek zmniejszania się wartości współczyn-1 nika cr._b, co można wytłumaczyć w następujący sposób. Duży ładunek nośników wstrzykiwanych do bazy wytwarza polo elektryczne kompensujące pole E_wb, a więc unoszenie nośników⁷ jest coraz słabsze i zwiększa się czas przelotu t_b, przeto I maleje v._b (por. wzór 5.42)).

Zakresy pracy i układy włączenia tranzystora bipolarnego    5.6

Dotychczas rozważano zjawiska występujące wewnątrz tranzystora, a w tym i następnych punktach niniejszego rozdziału będziemy rozpatrywać charakterystyki i parametry końcówkowe, czyli tzw. właściwości funkcjonalne tranzy-