320 (35)

m

Tranzystor bipolarny

Pojemność G_eb, składa się z pojemności złączowej C_je oraz dyfuzyjnej C_de. Ta pierwsza nie ulega zmianie w stosunku do układu WE, druga zaś jest mniejsza niż w układzie WE. Teoretyczne uzasadnienie tego faktu jest dość trudne, dla-tego ograniczymy się do podania w tabl. 5.4 zależności umożliwiającej doświadczalne wyznaczenie pojemności c_eb..

Model „hybryd —” dla układu WC    5.9.2.4

Model „hybryd tt” dla układu WC przedstawiono na rys. 5.64. Ten model można otrzymać bezpośrednio ze schematu zastępczego dla układu WE w rezultacie prostej zamiany końcówek. Łatwo można się przekonać, że zwiera

jąc wejście lub wyjście uzyska się admitancje wejściową i wyjściową identyczne jak dla układu WE (w rozdziale 7 zobaczymy, że w warunkach roboczych wymienione admitancje bardzo się różnią dla obu konfiguracji). Porównując dalej modele dla konfiguracji WC, WE można zauważyć tylko nieznaczną różnicę w określeniu źródła prądowego. Dla układu WE

(Im^t-e = Ph

natomiast dla układu WC 9mUb’c - (P + ^l)h

Ponie-waż w^r stanie zwarcia wyjścia u_b,_c = u_b._e, zatem

(5.137)

_ /^{? +} 1 I

(Im    a    (Im

| dla WC    P    |    dla    WE

Częstotliwości graniczne tranzystora bipolarnego    5.10

W miarę wzrostu częstotliwości sygnału zmieniają się warunki pracy tranzystora, przede wszystkim maleje jego wzmocnienie prądowe. Dlatego należy określić pasmo częstotliwości, w jakim tranzystor może pracować. Częstotliwość ograniczająca to pasmo ,,od góry” jest nazywana częstotliwością graniczną. W zależności od przyjętych kryteriów można zdefiniować kilka różnych częstotliwości granicznych. Żanim jednak przedstawimy te kryteria i definicje, podamy najpieni' fizyczny opis właściwości częstotliwościowych tranzystora.

Częstotliwości graniczne — interpretacja fizyczna    5.10.1

W punkcie 5.8 stwierdzono, że tranzystor jest elementom inercyjnym, co wynika ze skończonych szybkości przeładowania poszczególnych obszarów (głównie dwu warstw' zaporowych i bazy). Te same zjawiska określają właściwośoi dyna-