350 (26)

350 (26)



Tranzystor bipolarny

350


Tabl. 5.6 (od.)


Pojemności dyfuzyjne (składowe iniekeyjno)

Che a;-    +1es)

<Pt

Ode ~- (fjc + fcs)

<fT

a,-    - jmjw/cuaj

“/(jce) =-:— e

COai


Częstotliwości

gi'aniczne


1

przy czym w«i =-

Tb

dla tranzystora bezdryftowego

(Oal =


dla tranzystora dryftowego

a(jco)


a    — jww/eoa

- G

1 + ^

ćOa

Tcb + Tb + T{,c


przy czyni o»a

P(}U>)


1 +


CO/J


1 (Ca


przy czym eo/j

cer = co\tHsw)\ przy co > cop (Ot = copfi

Cót ~ COa 1

cor =-

Tn

Wt    Wb    , _    . ldb-c

Tn = ■——C^e+ — f" Tc(Cjc + Odc) H -

Je kDa    2v

4 rbl>'Cjc


-V.


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Image023 wymaga mniejszej liczby operacji niż wykonanie tranzystora bipolarnego (tabl. 1.4). Gęstość
IMG26a 40.    powrót żyln^do prawego przedsionka zależy od : pojemność przedsionków
DSC00070 (34) To tranzystor bipolarny, różniący s.* od zwykłych tym. ze obszar jego bazy może byc&nb
327 (26) - 327Częstotliwości graniczne tranzystora bipolarnego fo- le Rys. 5.68 Obwód B, C reprezent
55027 Str350 350 Tabl. 18.2.12. Rury stalowe bez szwu walcowane na gorąco ogólnego
350 350 Tabl. 19.4.6. Zalecenia do korzystania z
Warszawa leży w środkowym biegu Wisły, na Nizinie Środkowomazowieckiej, w odległości około 350
skanuj0059 3.    Zależność prądu kolektora tranzystora bipolarnego od prądu bazy (wzó
I TERMIN 2 (2) 9) Narysuj układ polaryzacji tranzystora bipolarnego n-p-n ze sprzężeniem emiterowym.

więcej podobnych podstron