- 360
Rys. 6.6
Sposób polaryzacji tranzystora PNFET
zystora bipolarnego, w którym były cztery warianty polaryzacji i wynikające stąd zakresy: odcięcia, nasycenia, normalny i inwersyjny).
W przypadku kanału typu n:
UGS< 0
UDS >0
W przypadku kanału typu p:
Uqs > ®
UDS <0
Rozpatrzmy teraz jakościowo elementarne zasady działania tranzystora PNFET, po czym dokonamy analizy ilościowej podstawowych charakterystyk, parametrów i modeli tych tranzystorów.
Ponieważ najistotniejsze zjawiska zachodzą w obszarze kanału znajdującym się pod bramką górną, dla uproszczenia będziemy rozpatrywać wyidealizowaną;
G
Rys. 6.6
Wyidealizowana struktura tranzystora PNFET
strukturę przedstawioną na rys. 6.6 (stanowi ona jakby wycinek rzeczywistej struktury planarnej). Interesujące są dwie charakterystyki tranzystora, tj.:
— przejściowa /D(Uc<;)ll7os = const
— wyjściowa ID(UDS)\Uas - const
wyznaczane w układach przedstawionych na rys. 6.7.
Zjawiska określające przebieg charakterystyki przejściowej, tj. zależność prądu drem (prądu wyjściowego) od napięcia bramka-źródło (napięcia wejściowego) ilustrują