361 (23)

- 361

Tranzystory połowę ze złączem p-n

Rys. 6.7

Układy włączenia tranzystora przy pomiarze charakterystyki przejściowej (u) oraz wyjściowej (b)

Przekrój przez który

Ucs = 0

b)

G 1-
	D
n .777777/7777777, vr 7Ta

U[1S = 0

Up < ^ucs < 0 dla kanału typu n ^ues < ^up 0 < |y_6S| < \Up | dla kanału typu nlubp \Up₅\ > | l/_p|

Rys. 6.8

Ilustracje profili kanału, wyjaśniające przebieg charakterystyki przejściowej przekroje tranzystora przedstawione na rys. 6.8. Dla uproszczenia jest rozważany przypadek bardzo małego napięcia dren-źródło (U_DS >0). W stanie bez polaryzacji bramki (U_GS — 0) warstwa zaporowa złącza bramka-kanał wnika na niewielką głębokość do obszarów typu p⁺ i n. Ponieważ obszar bramki (p⁺) jest, o kilka rzędów wartości silniej domieszkowany niż obszar kanału (n), warstwa zaporowa wnika o wiele głębiej do kanału niż do bramki. Dlatego w dalszych rysunkach w ogóle pomija się warstwę zaporową w obszarze bramki. Z rozdziału 3 wiadomo, że warstwa zaporowa jest obszarem o zubożonej koncentracji nośników, a więo o bardzo dużej rezystywnośei. Stąd wnioskujemy, że prąd kanału płynie tylko w obszarze ograniczonym przez krawędzie warstw zaporowych (przekrój zaznaczony na rys. 6.8a). W miarę jak wzrasta ujemna wartość napięcia U_GS, warstwy zaporowe rozszerzają się, powodując zmniejszenie przekroju kanału (rys. 6.8b). Wzrasta zatem rezystancja kanału, czyli przy U_DS — eonst maleje prąd drenu. W miarę dalszego zwiększania napięcia U_cs dochodzi do zetknięcia się obu warstw zaporowych, czyli kanał przewodzący przestaje istnieć i prąd drenu osiąga wartość zerową (iys. 6.8c). Taki stan jest nazywany odcięciem lub zatkaniem, a wartość napięcia U_GS, przy której zostaje on zapoczątkowany, jest nazywana napięciem odcięcia lub zatkania (ang. pinch-off voltage) i oznaczana przez U_p. Dalszy wzrost ujemnej wartości napięcia wejściowego (|f/_(;s| > \U_p\) nie zmienia prądu drenu, a może tylko doprowadzić do przebicia złącza bramka-kanał. Rezystancja dren-źródło w stanie zatkania jest bardzo duża i wynosi kilka gigaomów dla tranzystorów- małej mocy (jest to