— 265
)
W
i.
~)
8;
stora traktowanego jako element układu. Opis funkcjonalny (zestaw równań wiążących napięcia i prądy na końcówkach elementu) może w zasadzie abstrahować od zjawisk wewnętrznych, zachowując pełną użyteczność do potrzeb analizy układowej. Jednakże talu formalny model funkcjonalny („czarna skrzynka”, której właściwości są wprawdzie znane, lecz nie wiadomo, dlaczego są właśnie takie a nie inne) nie daje możliwości wykonania głębszej analizy pracy układu, czy szybkiego przewidywania „zachowania się” tranzystora w nietypowych warunkach pracy — słowem ogranicza bardzo możliwości świadomego i celowego rozwiązywania zadań projektowych. Dlatego przy opisie właściwości funkcjonalnych tranzystora będziemy dążyć do wykazania związków tych właściwości ze zjawiskami zachodzącymi wewnątrz tranzystora.
Z dotychczasowych rozważań wiadomo, że tranzystor spełnia funkcję elementu wzmacniającego przy polaryzacji złącza E-B w kierunku przewodzenia, a złącza B-C w kierunku zaporowym. Znamy również zasady polaryzacji złącza p-n, można
\„ 0,3 V dla Se \Jb-\^ 0,7 V dla Si ilc> Ug> i/f dla n-p-n Uc< Us< Uę dla p-n-p |
Kys. 5.22 Ogólne relacje między potencjałami poszczególnych elektrod tranzystora |
zatem określić ogólne relacjo między potencjałami poszczególnych elektrod tranzystora (rys. 5.22): | |
Uc > UB > UE dla tranzystora n-p-n |
(5.49a) |
Uc < UB < UB dla tranzystora p-n-p |
(5.49b) |
ól-
ais
*!
przy czym Uc, UB, UE — potencjały poszczególnych elektrod tranzystora: kolektora, bazy, emitera, względem jakiegoś potencjału wspólnego (najczęściej względem zerowego potencjału masy układu).
Należy przy tym zauważyć, że napięcie baza-emiter (napięcie na złączu p-n spolaryzowanym w kierunku przewodzenia) w typowych warunkach pracy tranzystora przyjmuje wartości 0,2...0,4 V dla tranzystora germanowego oraz 0,6...0,8 V dla tranzystora krzemowego. W wielu układach jednak (przede wszystkim w układach impulsowych) tranzystor może pracować przy innych warunkach polaryzacji. Istnieją cztery warianty polaryzacji, można więo mówić o czterech zakresach pracy tranzystora (rys. 5.23):
— złącze E-B w kierunku przewodzenia I , ,
złącze B-C w kierunku zaporowym ) zakres normalny
— złącze E-B w kierunku przewodzenia |
złącze B-C w kierunku przewodzenia / zakres nasycenia