321 (34)

- 321

Częstotliwości graniczne tranzystora bipolarnego

miczne tranzystora przy pracy z małym sygnałem. Sj'gnał prądu zmiennego na drodze od emitera do kolektora ulega osłabieniu i opóźnieniu. W strukturze tranzystora można wyodrębnić trzy warstwy, w których niezależne zjawiska powodują zmniejszenie i opóźnienie sygnału (rys. 5.65). Są to:

Rys. 5.65

Struktura tranzystora podzielona na obszary, w których występują niezależne zjawiska zmniejszenia i opóźnienia sygnału

—    warstwa zaporowa złącza E-B;

—    warstwa bazy;

—    warstwa zaporowa złącza B-C.

Ponieważ transport nośników odbywa się szeregowo przez te warstwy, całkowity czas przejścia sygnału (czas przelotu nośników od emitera do kolektora) jest sumą algebraiczną opóźnień wnoszonych przez każdą warstwę dla sygnału skoku jednostkowego

^łcalk ⁼ teb+^łb+^łbc    (5.138)

Analogicznie stała czasowa tranzystora jest równa sumie stałych czasowych wnoszonych przez poszczególne warstwy

r_calk — tcb +Tj, +Tj,_c    (5.139)

Świadomie rozróżnia się czas przejścia sygnału skoku jednostkowego (opóźnienie) i stałą czasową. Czas przejścia sygnału od emitera do kolektora t_calk odpowiada wprowadzonej wcześniej stałej czasowej dla stanu nieustalonego t_n, określającej zwłokę odpowiedzi prądu kolektora na skok jednostkowy prądu emitora. Natomiast stała czasowa dla sygnału sinusoidalnego jest rozumiana jako odwrotność pul-sacji, przy której następuje zmniejszenie amplitudy małego sygnału o 3 dB. Dalej okaże się, że nie zawsze opóźnienie sygnału jest równe stałej czasowej. Na podstawie (5.139) można napisać równanie pulsacji odpowiadających poszczególnym stałym czasowym

^Mcalk

1    1 1

^eb    ną    (Obc

(5.140)

Pierwszoplanowe znaczenie mają zjawiska zachodzące w bazie, dlatego w przybliżeniu pierwszego stopnia przyjmuje się *calk & ^Tb

21 Przyrządy półprzewodnikowe...