Image020

niczy zarówno na częstotliwość graniczną tranzystora, jak i na pojemność złącza kolektorowego oraz pojemność złącza izolującego wyspę od podłoża. W celu zmniejszenia rezystancji obszaru kolektora, bez pogorszenia innych parametrów tranzystora, wytwarza się na spodzie warstwy kolektora obszar o przewodnictwie n⁺> odznaczający się bardzo małą rezystywnością. Ta wewnętrzna warstwa n⁺ nazywa się warstwą zagrzebaną i umożliwia redukcję rezystancji obszaru kolektora o rząd wielkości. Sposób wytwarzania takich tranzystorów pokazano na rys. 1.15.

Moskal

Procesyfotofitogra-ffcznei utlenianie

Usumącie zby tecznej metalizacji

V/777T7T//T7S/r/r/7///7r7.

n

p

Icbl-'

1

jzzzzzzz 1 n	L. p /	ZZZZZZZĄ (p+\
r-<	n*	p-1 p !
i-		—

Diody. Jako diody w układach scalonych stosuje się najczęściej struktury tranzystorowe, przy czym używa się tylko jednego ze złączy tranzystora. W układach scalonych czynnikiem obniżającym koszt produkcji jest unifikacja stosowanych w nim elementów. Z ekonomicznych zatem względów, gdy w prze-