381 (16)

- 381

Tranzystory połowę ze złączem p-n

C lub korzystać z bardziej rozbudowanych modeli o stałych skupionych, w których jednak niektóre parametry muszą być uzależnione od częstotliwości. Jeden z wariantów takiego modelu przedstawiono na rys. 6.21b. Nie będziemy go szerzej komentować, zauważmy tylko, że r_G jest rezystancją doprowadzenia bramki, zaś r^_s-, r_g'_d- stanowią określone części rezystancji kanału.

Należy w ogóle stwierdzić, że analiza właściwości tranzystora PNFET w zakresie bardzo dużych częstotliwości jest zagadnieniem bardzo trudnym, rozważanym wyłącznie w specjalistycznych monografiach. Omówimy tylko zagadnienie maksymalnej częstotliwości pracy tego tranzystora. Pojęcie częstotliwości maksymalnej w tranzystorach polowych jest związane ze skończonym czasem przelotu nośników przez kanał i ze stałą czasową ładowania pojemności bramka-kanał.

Czas przelotu

(6.55)

L L²

^P Mn By    MnU DS

stąd

1

--

^TP

Mn DS

L²

(6.55a)

Stałą czasową ładowania pojemności bramka-kanał w tranzystorze idealnym przy wysterowaniu ze źródła napięciowego określa iloczyn pojemności C_g przez rezystancję kanału r_c

G)max —    (6.56)

°»^rC

Ściśle biorąc, sytuacja nie jest tak prosta, gdyż pojemność bramka-kanał i rezystancja kanału mają wartości rozłożone wydłuż kanału, jednak można je w pierwszym przybliżeniu zastąpić dwoma elementami, tzw. średnią pojemnością C_g i średnią rezystancją r_c. W stanie nasycenia (dla tranzystora o równomiernym rozkładzie koncentracji domieszek w kanale) juzy U_GS = 0

G_g

e_sZL

t    ®

uwzględnia się dwie bramki    ^

(6.57)

r_c

L

~2

a_caZ

(6.58)

Po podstawieniu (6.57) i (6.58) do (6.56) otrzymujo się

₌ ^aZ(lMn Np 2 e,L²

(6.59)

Można też zdefiniować częstotliwość graniczną jako taką częstotliwość, przy której prąd wejściowy, płynący przez pojemność C_g, jest równy wydajności wyjściowego źródła prądowego g_mu_gs

u.